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IDP40E65D2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 650V Schnellschalt-Emitter-gesteuerte Diode mit 175°C Knotenbetriebstemperatur

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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IDP40E65D2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 650V Schnellschalt-Emitter-gesteuerte Diode mit 175°C Knotenbetriebstemperatur

IDP40E65D2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 650V Schnellschalt-Emitter-gesteuerte Diode mit 175°C Knotenbetriebstemperatur
IDP40E65D2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 650V Schnellschalt-Emitter-gesteuerte Diode mit 175°C Knotenbetriebstemperatur

Großes Bild :  IDP40E65D2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 650V Schnellschalt-Emitter-gesteuerte Diode mit 175°C Knotenbetriebstemperatur

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IDP40E65D2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-TO220-2
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IDP40E65D2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 650V Schnellschalt-Emitter-gesteuerte Diode mit 175°C Knotenbetriebstemperatur

Beschreibung
Teilenummer: IDP40E65D2 Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650 V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io): 40A Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): 75 ns
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr: 40 μA @ 650 V Betriebstemperatur - Übergang: -40 °C ~ 175 °C
Hervorheben:

650 V integrierte Schaltung

,

Schnell schaltende emittergesteuerte Diode

,

175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur-Schaltdiode

IDP40E65 Integrierter Schaltkreis 650V Schnelle Schalt-Emitter-gesteuerte Diode PG-TO220-2
Produktübersicht von IDP40E65

Der IDP40E65 ist eine 650V, schnell schaltende, emittergesteuerte Diode im PG-TO220-2-Gehäuse, speziell entwickelt für Anwendungen, die zwischen 40 kHz und 100 kHz schalten.

Spezifikationen Von IDP40E65
Parameter Wert
Produktkategorie Kleine Signal-Schaltdioden
Produkt Schaltdioden
Montageart Durchsteckmontage
Gehäuse / Case TO-220-2
Spitzensperrspannung 650 V
Maximaler Stoßstrom 250 A
If - Durchlassstrom 80 A
Konfiguration Einzeln
Erholzeit 36 ns
Vf - Durchlassspannung 1,6 V
Ir - Sperrstrom 40 uA
Minimale Betriebstemperatur -40 ℃
Maximale Betriebstemperatur +175 ℃
Pd - Verlustleistung 200 W
Hauptmerkmale Von IDP40E65
  • 650V Emitter-gesteuerte Technologie
  • Schnelle Erholung
  • Sanftes Schalten
  • Geringe Sperrverzögerungsladung
  • Geringe Durchlassspannung und stabil über die Temperatur
  • 175°C Sperrschichttemperatur
  • Einfache Parallelschaltung
Anwendungen Von IDP40E65
  • Boost-Diode in CCM PFC
  • Leistungsumwandlung
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
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Teilenummer Gehäuse
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ADBMS6830MWCCSZ LQFP-80
TDA2EGAHQABCRQ1 FCBGA-760
DRA724JGABCRQ1 FCBGA-760
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MSP430FR6822IRGCR VQFN-64
MSP430FR6822IPMR LQFP-64
MSP430FR6822IG56R TSSOP-56
Schlagwörter: IDP40E65D2, IDP40E65D, IDP40E65
Häufig gestellte Fragen
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A: Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
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Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

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Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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