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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current
IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Großes Bild :  IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPP65R190CFD
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-220-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Beschreibung
Teilenummer: IPP65R190CFD Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Verlustleistung: 77W (Tc)
Hervorheben:

650V Power MOSFET

,

190mOhm Integrated Circuit Chip

,

14A CoolMOS™ N-Channel

IPP65R190CFD Integrated Circuit Chip 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors Product Overview Of IPP65R190 IPP65R190 is a 650V CoolMOS™ CFD2 N-Channel Power MOSFET transistor from Infineon. This second-generation high-voltage MOSFET features an integrated fast body diode, offering improved energy efficiency and superior EMI behavior compared to competitor parts. Specifications Of IPP65R190 Parameter Value Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel Vds

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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