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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET mit 190mOhm Rds On und 14A Dauer-Drainstrom

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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—— Nishikawa aus Japan

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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET mit 190mOhm Rds On und 14A Dauer-Drainstrom

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET mit 190mOhm Rds On und 14A Dauer-Drainstrom
IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET mit 190mOhm Rds On und 14A Dauer-Drainstrom

Großes Bild :  IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET mit 190mOhm Rds On und 14A Dauer-Drainstrom

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPP65R190CFD
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-220-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET mit 190mOhm Rds On und 14A Dauer-Drainstrom

Beschreibung
Teilenummer: IPP65R190CFD Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Verlustleistung: 77W (Tc)
Hervorheben:

650V Leistungs-MOSFET

,

Integrierter 190-mOhm-Schaltkreischip

,

14A CoolMOS™ N-Kanal

IPP65R190CFD Integrierter Schaltkreis Chip 650V CoolMOS™ N-Kanal Power MOSFET Transistoren
Produktübersicht von IPP65R190

Der IPP65R190 ist ein 650V CoolMOS™ CFD2 N-Kanal Power MOSFET Transistor von Infineon. Dieser Hochspannungs-MOSFET der zweiten Generation verfügt über eine integrierte schnelle Body-Diode, die im Vergleich zu Konkurrenzprodukten eine verbesserte Energieeffizienz und ein überlegenes EMI-Verhalten bietet.

Spezifikationen von IPP65R190
Parameter Wert
Transistorpolarität N-Kanal
Anzahl der Kanäle 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung 650 V
Id - Kontinuierlicher Drain-Strom 12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand 190 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung 4,5 V
Qg - Gate-Ladung 23 nC
Minimale Betriebstemperatur -40 °C
Maximale Betriebstemperatur +150 °C
Pd - Verlustleistung 63 W
Hauptmerkmale von IPP65R190
  • 650V mit integrierter schneller Body-Diode
  • Geringer Überschwingen der Spannung bei hartem Schalten
  • Signifikante Reduzierung der QG
  • Engeres RDS(on)max zu RDS(on)typ Fenster
  • Einfache Integration
Leistungs Vorteile von IPP65R190
  • Geringe Schaltverluste durch geringe Qrr
  • Selbstlimitierende di/dt und dv/dt
  • Geringe Qoss
  • Reduzierte Ein- und Ausschaltverzögerungszeiten
  • Hervorragende CoolMOS™ Qualität
Anwendungen von IPP65R190
  • Zwischenbus-Konverter (IBC)
  • DIN-Schienen-Netzteillösungen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Produkt-Tags

IPP65R190CFD, IPP65R190CF, IPP65R190C, IPP65R190

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Häufig gestellte Fragen
F. Sind Ihre Produkte original?

A: Ja, alle Produkte sind original, Neuware ist unser Ziel.

F. Welche Zertifikate haben Sie?

A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.

F. Können Sie kleine Mengen oder Muster unterstützen? Ist das Muster kostenlos?

A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und kleine Bestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt.

F. Wie versenden Sie meine Bestellung? Ist sie sicher?

A: Wir versenden per Express, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren Spediteur verwenden. Die Produkte werden gut verpackt und die Sicherheit gewährleistet, und wir haften für Produktschäden an Ihrer Bestellung.

F. Was ist mit der Lieferzeit?

A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn nicht auf Lager, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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