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IKW30N60H3 600V 30A High Speed IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IKW30N60H3 600V 30A High Speed IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

IKW30N60H3 600V 30A High Speed IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip
IKW30N60H3 600V 30A High Speed IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Großes Bild :  IKW30N60H3 600V 30A High Speed IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IKW30N60H3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: TT
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IKW30N60H3 600V 30A High Speed IGBT Transistor with Anti-Parallel Diode Integrated Circuit Chip

Beschreibung
Teilenummer: IKW30N60H3 Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max): 600 V
Strom - Sammler (IC) (max): 60 a Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): 120 a
VCE (ON) (max) @ vge, IC: 2.4V @ 15V, 30A Leistung – max: 187 W
Hervorheben:

600V IGBT Transistor

,

30A Integrated Circuit Chip

,

Anti-Parallel Diode High Speed IGBT

IKW30N60H3 Integrated Circuit Chip 600V 30A High Speed IGBT Transistors With Anti-Parallel Diode Product Overview Of IKW30N60H3 IKW30N60H3 is a high-speed 600V, 30A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package. This component provides the optimal balance between switching and conduction losses, featuring MOSFET-like turn-off switching behavior that results in low turn-off losses. Specifications Of IKW30N60H3 Parameter Value Collector

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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