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CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gewinn 6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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—— Nishikawa aus Japan

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CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gewinn 6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker

CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gewinn 6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker
CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gewinn 6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker

Großes Bild :  CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gewinn 6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: CMPA601C025F
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-59
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

CMPA601C025F GaN IC GaN MMIC 40W 25dB Gewinn 6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker

Beschreibung
Teilenummer: CMPA601C025F Gewinnen: 25 dB
Betriebsfrequenz: 6 GHz bis 12 GHz Pd – Verlustleistung: 40W
Betriebsversorgungsstrom: 2 A Betriebstemperatur: -40 ° C ~ 150 ° C.
Hervorheben:

40-W-GaN-IC

,

GaN-MMIC mit 25 dB Verstärkung

,

6 GHz bis 12 GHz Galliumnitrid HEMT MMIC

CMPA601 GaN IC GaN MMICs 40W Galliumnitrid HEMT MMIC Leistungsverstärker
Produktübersicht von CMPA601

Der CMPA601 ist eine monolithische Mikrowellen-Integrierschaltung (MMIC) auf Basis eines Galliumnitrid (GaN) High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) auf einem Siliziumkarbid-Substrat, die einen 0,25-μm-Gate-Längen-Fertigungsprozess nutzt. GaN auf SiC bietet überlegene Eigenschaften im Vergleich zu Silizium, Galliumarsenid oder GaN auf Si, einschließlich höherer Durchbruchspannung, höherer gesättigter Elektronen-Driftgeschwindigkeit und höherer Wärmeleitfähigkeit. GaN-HEMTs bieten auch eine höhere Leistungsdichte und breitere Bandbreiten im Vergleich zu Si-, GaAs- und GaN-auf-Si-Transistoren. Dieser MMIC verfügt über ein reaktiv angepasstes Verstärkerdesign, das sehr breite Bandbreiten ermöglicht.

Spezifikationen von CMPA601
Produktkategorie HF-Verstärker
Betriebsfrequenz 6 GHz bis 12 GHz
Betriebsversorgungsspannung 28 V
Betriebsversorgungsstrom 2 A
Verstärkung 25 dB
Typ Leistungsverstärker
Montageart Schraube
Technologie GaN
P1dB - Kompressionspunkt 46,2 dBm
OIP3 - Dritter Ordnung Intercept 22 dBm
Minimale Betriebstemperatur -40℃
Maximale Betriebstemperatur +150℃
Eingangs-Rückflussdämpfung -5 dB
Anzahl der Kanäle 1 Kanal
Pd - Verlustleistung 40 W
Hauptmerkmale von CMPA601
  • 34 dB Kleinsignalverstärkung
  • 40 W typische PSAT
  • Betrieb bis 28 V
  • Hohe Durchbruchspannung
  • Hochtemperatur-Betrieb
  • Größe 0,172 x 0,239 x 0,004 Zoll
Anwendungen von CMPA601
  • Breitbandverstärker
  • Radarverstärker
  • Testgeräte-Verstärker
  • Störsender-Verstärker
Verwandte Komponenten auf Lager
Teilenummer Gehäuse
NCP164AMT280TAG WDFN-6
NCP164AMT330TAG WDFN-6
NCP164AMTADJTAG WDFN-6
NCP164ASN180T1G TSOP-5
NCP164ASN280T1G TSOP-5
NCP164ASN330T1G TSOP-5
NCP164ASNADJT1G TSOP-5
NCP81071ADR2G SOIC-8
NCP81071AZR2G MSOP-8
NCP81071AMNTXG WDFN-8
NCP81071BDR2G SOIC-8
NCP81071BMNTXG WDFN-8
NCP81071BZR2G MSOP-8
NCP81071CDR2G SOIC-8
NCP81071CZR2G MSOP-8
NCP81080MNTBG DFN-8
NCP58933ABLTXG PDSO-F9
NCP58933ABTTXG PDSO-G16
NCP58934ABTTXG PDSO-G16
NCP58934ABLTXG PDSO-F9
NCP58935ABLTXG PDSO-F9
NCP58935ABTTXG PDSO-G16
NTBL023N65GN1TXG PDSO-F9
NTBL035N65GN1TXG PDSO-F9
NTBL050N65GN1TXG PDSO-F9
NTBT023N65GN1TXG PDSO-G16
NTBT035N65GN1TXG PDSO-G16
NTBT050N65GN1TXG PDSO-G16
NCP1655ADR2G SOIC-9
NCP1680AAD1R2G SOIC-16
Produkt-Tags
CMPA601C025F, CMPA601C025, CMPA601C02, CMPA601C0, CMPA601C, CMPA601
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, Neuware-Import ist unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
Können Sie Kleinmengenbestellungen oder Muster unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinmengenbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt.
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Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn nicht auf Lager, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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