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DRV91680RGZR Hochleistungs-Gate-Driver-IC für SiC/GaN-FETs

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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DRV91680RGZR Hochleistungs-Gate-Driver-IC für SiC/GaN-FETs

DRV91680RGZR Hochleistungs-Gate-Driver-IC für SiC/GaN-FETs
DRV91680RGZR Hochleistungs-Gate-Driver-IC für SiC/GaN-FETs

Großes Bild :  DRV91680RGZR Hochleistungs-Gate-Driver-IC für SiC/GaN-FETs

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: DRV91680RGZR
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: QFN48
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

DRV91680RGZR Hochleistungs-Gate-Driver-IC für SiC/GaN-FETs

Beschreibung
Teilenummer: DRV91680RGZR Paket: QFN48
Eingangsspannungsbereich: 4,5 V bis 30 V Betriebstemperaturbereich: – °C 40 zu °C 150
Hervorheben:

Hochleistungs-Gate-Treiber

,

Integrierter Schaltkreischip in Automobilqualität

,

SiC/GaN-FET-Treiber-IC

DRV91680RGZR Integrierter Schaltkreis Chip Hochleistungs-Gate-Treiber für die Automobilindustrie
Der DRV91680 ist ein hochleistungsfähiger Gate-Treiber-Chip in Automobilqualität, der speziell für die Ansteuerung von Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) Feldeffekttransistoren (FETs) entwickelt wurde. Der Chip bietet eine robuste Ansteuerungsfähigkeit, hohe Zuverlässigkeit und ausgezeichnete Störfestigkeit, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen mit hoher Leistungsdichte und hohen Schaltfrequenzen geeignet macht, wie z. B. Wechselrichter, On-Board-Ladegeräte (OBCs) und DC-DC-Wandler in Elektrofahrzeugen (EVs). Der DRV91680 bietet schnelle Ein- und Ausschaltzeiten, wodurch Schaltverluste erheblich reduziert werden, und verfügt über umfassende Schutzfunktionen, um einen sicheren Systembetrieb unter extremen Betriebsbedingungen zu gewährleisten.
Spezifikationen des DRV91680
Gehäuse QFN48
Eingangsspannungsbereich 4,5 V bis 30 V
Spitzen-Ausgangsstrom (Source) 2 A
Spitzen-Ausgangsstrom (Sink) 2 A
Laufzeit 30 ns (typisch)
Gleichtakt-Transientenfestigkeit (CMTI) ±100 kV/μs
Betriebstemperaturbereich -40 °C bis 150 °C
Isolations-Prüfspannung 5 kVrms
Merkmale des DRV91680
  • Hochgeschwindigkeits-Ansteuerungsfähigkeit: Unterstützt Schaltfrequenzen bis zu 2 MHz, geeignet für SiC- und GaN-Bauteile mit hoher Frequenz
  • Robuste Stromtreiberfähigkeit: Bietet 2 A Spitzen-Source-Strom und 2 A Spitzen-Sink-Strom, um den Anforderungen von Hochleistungsanwendungen gerecht zu werden
  • Geringe Laufzeit: Nur 30 ns (typisch), was zur Reduzierung von Schaltverlusten beiträgt
  • Hervorragende CMTI-Leistung: Gleichtakt-Transientenfestigkeit von bis zu ±100 kV/μs unterdrückt effektiv Störgeräusche
  • Umfassende Schutzfunktionen: Einschließlich Unterspannungsabschaltung (UVLO), Überstromschutz (OCP), Kurzschlussschutz (SCP) und Übertemperaturschutz (OTP), die die Systemzuverlässigkeit und Sicherheit erhöhen
  • Konformität mit dem AEC-Q100-Standard: Gewährleistet Stabilität und Langlebigkeit in Automobilumgebungen
Anwendungen des DRV91680
  • Antriebswechselrichter für Elektrofahrzeuge (EVs) und Hybridfahrzeuge (HEVs)
  • On-Board-Ladegeräte (OBCs) und bidirektionale DC-DC-Wandler
  • Industrielle Motorantriebe und Systeme zur Umwandlung erneuerbarer Energien
  • Hochfrequenz-Leistungsmodule und USV-Systeme
  • Andere Anwendungen, die Hochleistungs-SiC- und GaN-FET-Treiber erfordern
Produkt-Tags
DRV91680RGZR, DRV91680RGZ, DRV91680RG, DRV91680R, DRV91680
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Teilenummer Gehäuse
ZSSC3241DL5B WAFER
ZSSC3241DL5C WAFER
DSPIC33AK256MPS306-E/M7 VQFN-64
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DSPIC33AK256MPS306-I/PT TQFP-64
PIC16F13254-I/SS SSOP-28
PIC16F13254-I/3LW VQFN-28
PIC16F13275-E/P PDIP-40
PIC16F13255-I/3LW VQFN-28
PIC16F13255-I/SS SSOP-28
NCS7030D2G014R2G SOIC−8
NCS7030DM2G014R2G MSOP-8
NCV7030D2G014R2G SOIC−8
NCV7030DM2G014R2G MSOP-8
NCS333ASN2T1G TSOP-5
NCS333ASQ3T2G SC-70-5
NCV333ASN2T1G TSOP-5
NCV333ASQ3T2G SC-70-5
NCS21911SN2T1G SOT23-5
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NCS21874DR2G SOIC-14
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NCV21874DR2G SOIC-14
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FDMF5068 PQFN-39
NCP164AMT120TAG WDFN-6
NCP164AMT180TAG WDFN-6
Häufig gestellte Fragen
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A: Ja, alle Produkte sind original, neu und original importiert ist unser Ziel.
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A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Lagerbestände vorhanden sind, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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