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Produktdetails:
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| Teilenummer: | IDL10G65C5 | Technologie: | Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
|---|---|---|---|
| Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): | 650 V | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io): | 10A |
| Strom – Rückwärtsleckage bei Vr: | 180 μA @ 650 V | Kapazität @ Vr, F: | 300 pF bei 1 V, 1 MHz |
IDL10G65C5 ist eine 650V, 2A CoolSiC™ (Siliziumkarbid) Schottky-Diode im DPAK real2pin-Gehäuse, die durch eine Kombination aus Dünnwafer-Technologie und einem proprietären Diffusionsbonding-Verfahren eine deutliche Leistungssteigerung erzielt.
| Produktkategorie | SiC Schottky-Dioden |
|---|---|
| Montageart | SMD/SMT |
| Gehäuse / Case | VSON-4 |
| Konfiguration | Einzeln |
| If - Durchlassstrom | 10 A |
| Vrrm - Wiederkehrende Sperrspannung | 650 V |
| Vf - Durchlassspannung | 1,8 V |
| Ifsm - Stoßstrom | 50 A |
| Ir - Sperrstrom | 2 uA |
| Minimale Betriebstemperatur | -55℃ |
| Maximale Betriebstemperatur | +150℃ |
| Pd - Verlustleistung | 113 W |
| Teilenummer | Gehäuse |
|---|---|
| CSDM65295TVCQ | QFN-FCMOD-72 |
| TPSM828511RDYR | QFN-FCMOD-9 |
| TPSM828512RDYR | QFN-FCMOD-9 |
| TPSM8287A12BASRDVR | B0QFN-39 |
| TPSM8287A12BBSRDVR | B0QFN-39 |
| TPSM828303APVCBR | QFN-FCMOD-10 |
| TPSM828303ARDSR | QFN-FCMOD-9 |
| TLVM23615RDNR | QFN-FCMOD-11 |
| TPSM560R6HRDAR | B3QFN-15 |
| TPSM831D31MOA | QFM-28 |
| TPSM82823SILR | USIP-10 |
| LMZM33602RLRR | B3QFN-18 |
| LMZM33603RLRR | B3QFN-18 |
| TPSM84424MOLR | QFM-24 |
| TPSM84824MOLR | QFM-24 |
| NXH100B120H3Q0STG | MODUL |
| NXH500B100H7Q2F2SHG | MODUL |
| BCM6719A0KEFBG | BGA |
| BCM4918A0KFBEG | FCBGA |
| BCM67142A0KEFBG | BGA |
| BCM67192A0KEFBG | BGA |
| BCM6772A0KFEBG | BGA |
| BCM6774A0KFEBG | FCBGA |
| BCM6776A0KFEBG | FCBGA |
| BCM68850 | BGA |
| STGD25N36LZAG | TO-252-3 |
| IIS3DWB10IS | LGA-16 |
| CYT6BJ8DDBQ0AEEGS | TQFP-176 |
| CYT6BJ8DDBQ0AESGS | TQFP-176 |
| CYT6BJBDHBQ0BZEGS | PG-LFBGA-272 |
Ansprechpartner: Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753