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IQE046N08LM5 80V Leistungs-MOSFET-Transistor mit 4,6 mOhms RDS ((on) und Betriebstemperatur von 175 °C in PG-TSON-8 Paket

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IQE046N08LM5 80V Leistungs-MOSFET-Transistor mit 4,6 mOhms RDS ((on) und Betriebstemperatur von 175 °C in PG-TSON-8 Paket

IQE046N08LM5 80V Leistungs-MOSFET-Transistor mit 4,6 mOhms RDS ((on) und Betriebstemperatur von 175 °C in PG-TSON-8 Paket
IQE046N08LM5 80V Leistungs-MOSFET-Transistor mit 4,6 mOhms RDS ((on) und Betriebstemperatur von 175 °C in PG-TSON-8 Paket

Großes Bild :  IQE046N08LM5 80V Leistungs-MOSFET-Transistor mit 4,6 mOhms RDS ((on) und Betriebstemperatur von 175 °C in PG-TSON-8 Paket

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IQE046N08LM5
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-TSON-8
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IQE046N08LM5 80V Leistungs-MOSFET-Transistor mit 4,6 mOhms RDS ((on) und Betriebstemperatur von 175 °C in PG-TSON-8 Paket

Beschreibung
Teilenummer: IQE046N08LM5 Paket: PG-TSON-8
Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C VGS(th)-Bereich: 1,1 V bis 2,3 V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein): 4.5V, 10V Vgs (maximal): ±20V

IQE046N08LM5 Integrierter Schaltungschip 80V OptiMOS™ 5 Power MOSFET Transistor im PG-TSON-8 Gehäuse
Produktübersicht

IQE046N08LM5 ist ein branchenführender OptiMOS™ 5 Power MOSFET 80V Logikpegel im PQFN 3,3x3,3 Source-Down-Gehäuse, der den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand RDS(on) bei 25°C und eine überlegene thermische Leistung bietet. Der OptiMOS™ Source-Down verfügt über ein revolutionäres umgekehrtes Silizium-Die-Design, das eine bessere thermische Kapazität, eine höhere Leistungsdichte und verbesserte Layoutmöglichkeiten bietet. In Kombination mit dem Industriestandard-PQFN 3,3x3,3-Gehäuse ist der IQE046N08LM5 für SMPS-Produkte mit hoher Leistungsdichte und Leistung bestimmt, wie sie üblicherweise in Telekommunikations- und Datenservern zu finden sind.

Technische Spezifikationen
Parameter Wert
Transistor-Polarität N-Kanal
Anzahl der Kanäle 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung 80 V
Id - Kontinuierlicher Drain-Strom 99 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand 4,6 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung -20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung 2,3 V
Qg - Gate-Ladung 38 nC
Minimale Betriebstemperatur -55°C
Maximale Betriebstemperatur +175°C
Pd - Verlustleistung 100 W
Kanalmodus Anreicherungsmodus
Konfiguration Einzeln
Abfallzeit 4,4 ns
Vorwärts-Transkonduktanz - Min 62 S
Produkttyp MOSFETs
Anstiegszeit 2,6 ns
Typische Ausschaltverzögerungszeit 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit 5,2 ns
Hauptmerkmale
  • Logikpegel ermöglicht geringere Qrr
  • Reduzierter RDS(on) um bis zu 30%
  • Verbesserte RthJC gegenüber PQFN
  • Zentrales Gate optimiert für Parallelschaltung
Produktvorteile
  • Ermöglicht höchste Leistungsdichte
  • Überlegene thermische Leistung
  • Effizientes Layout für Raumnutzung
  • Vereinfachte MOSFET-Parallelschaltung
Anwendungen
  • Industrielle Anwendungen
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Teilenummer Gehäuse
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Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, Neuimporte sind unser Ziel.
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Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn nicht auf Lager, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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