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Produktdetails:
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| Teilenummer: | PSMN2R4-30YLD | Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30 V |
|---|---|---|---|
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: | 100A (Tc) | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein): | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.4mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id: | 2,2 V bei 1 mA |
PSMN2R4-30YLD N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET mit Logikpegel-Gate-Ansteuerung im LFPAK56-Gehäuse. Das NextPowerS3-Portfolio, das die einzigartige „SchottkyPlus“-Technologie nutzt, bietet einen hohen Wirkungsgrad und eine niedrige Spitzenleistung, die normalerweise mit MOSFETs mit integrierter Schottky- oder Schottky-ähnlicher Diode verbunden ist, jedoch ohne problematischen hohen Leckstrom. NextPowerS3 eignet sich besonders für hocheffiziente Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen.
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Transistorpolarität | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung | 30 V |
| Id – Kontinuierlicher Entladestrom | 100 A |
| Rds On – Drain-Source-Widerstand | 2,4 mOhm |
| Vgs – Gate-Source-Spannung | -20 V, 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung | 1,2 V |
| Qg – Gate-Ladung | 31,3 nC |
| Minimale Betriebstemperatur | -55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur | +175 °C |
| Pd – Verlustleistung | 106 W |
| Kanalmodus | Erweiterung |
| Konfiguration | Einzel |
| Herbstzeit | 13,9 ns |
| Produkttyp | MOSFETs |
| Aufstiegszeit | 27,5 ns |
| Transistortyp | 1 N-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit | 17,4 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit | 16,3 ns |
| Teilenummer-Aliase | 934067965115 |
| Stückgewicht | 91,420 mg |
| Teilenummer | Paket |
|---|---|
| R7S910007CBA | FBGA-320 |
| R7S910026CBA | FBGA-320 |
| R7S910027CBA | FBGA-320 |
| R7S910025CBA | FBGA-320 |
| R7S910036CBA | FBGA-320 |
| R7S910028CBA | FBGA-320 |
| R7S910015CBA | FBGA-320 |
| R7S910016CBA | FBGA-320 |
| R7S910018CBA | FBGA-320 |
| R7S910017CBA | FBGA-320 |
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