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SPB17N80C3 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V Drain-Source-Spannung, 17 A kontinuierlichem Drain-Strom und CoolMOS™-Technologie

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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—— Nishikawa aus Japan

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SPB17N80C3 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V Drain-Source-Spannung, 17 A kontinuierlichem Drain-Strom und CoolMOS™-Technologie

SPB17N80C3 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V Drain-Source-Spannung, 17 A kontinuierlichem Drain-Strom und CoolMOS™-Technologie
SPB17N80C3 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V Drain-Source-Spannung, 17 A kontinuierlichem Drain-Strom und CoolMOS™-Technologie

Großes Bild :  SPB17N80C3 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V Drain-Source-Spannung, 17 A kontinuierlichem Drain-Strom und CoolMOS™-Technologie

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: SPB17N80C3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-263-3
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag

SPB17N80C3 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V Drain-Source-Spannung, 17 A kontinuierlichem Drain-Strom und CoolMOS™-Technologie

Beschreibung
Teilenummer: SPB17N80C3 Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein): 10V
Vgs (maximal): ±20V Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

SPB17N80C3 Integrierter Schaltkreis-Chip N-Kanal 800 V 17 A CoolMOS™ Leistungs-MOSFET-Transistoren
Produktbeschreibung

SPB17N80C3 ist ein N-Kanal-CoolMOS™-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 800 V und 17 A im TO-263-3-Gehäuse.

Spezifikationen
TransistorpolaritätN-Kanal
Anzahl der Kanäle1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung800 V
Id – Kontinuierlicher Entladestrom17 A
Rds On – Drain-Source-Widerstand290 mOhm
Vgs – Gate-Source-Spannung-20 V, 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung2,1 V
Qg – Gate-Ladung88 nC
Minimale Betriebstemperatur-55 °C
Maximale Betriebstemperatur+150 °C
Pd – Verlustleistung227 W
KanalmodusErweiterung
KonfigurationEinzel
Herbstzeit12 ns
ProdukttypMOSFETs
Aufstiegszeit15 ns
Transistortyp1 N-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit25 ns
Stückgewicht4 g
Hauptmerkmale
  • Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
  • Extrem dv/dt bewertet
  • Hohe Spitzenstromfähigkeit
  • Qualifiziert nach JEDEC für gezielte Anwendungen
  • Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
  • Extrem niedrige Gate-Ladung
  • Extrem niedrige effektive Kapazitäten
Anwendungen
  • Industrielle Anwendung mit hoher DC-Hauptspannung
  • Schaltanwendung (d. h. aktive Klemme vorwärts)
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Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
Wie versende ich meine Bestellung? Ist es sicher?
Für den Versand verwenden wir Expressdienste wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Gerne können wir auch den von Ihnen vorgeschlagenen Spediteur nutzen. Die Produkte werden gut verpackt und gewährleisten die Sicherheit. Wir haften für Produktschäden an Ihrer Bestellung.
Wie sieht es mit der Vorlaufzeit aus?
Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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