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Produktdetails:
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| Teilenummer: | BSS169 | Transistor-Polarität: | N-Kanal |
|---|---|---|---|
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 100 V | Id – Kontinuierlicher Entladestrom: | 170 mA |
| Rds On – Drain-Source-Widerstand: | 2.9 Ohm | Qg – Gate-Ladung: | 2,1 nC |
| Hervorheben: | BSS169 N-Kanal-MOSFET-Transistor,MOSFET mit 100 V Abbau-Modus,SOT23-3 Integrierter Schaltkreislauf |
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| Serie | SIPMOS® |
| FET-Typ | N-Kanal, Verarmungsmodus |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C | 170mA (Ta) |
| Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6Ohm bei 170mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) bei Id | 1.8V bei 50µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs | 2.8 nC bei 7 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 68 pF bei 25 V |
| Verlustleistung (Max) | 360mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Oberflächenmontage |
| Lieferanten-Bauteilgehäuse | PG-SOT23 |
| Gehäuse / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Teilenummer | Gehäuse |
|---|---|
| LCMXO2-1200ZE-2TG100I | 100-TQFP |
| LCMXO3L-2100C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-2100C-5BG256I | 256-CABGA |
| LCMXO2-2000HC-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO2-2000HE-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | 324-CSFBGA |
| LCMXO2-1200ZE-3MG132I | 132-CSPBGA |
| LCMXO3LF-1300C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-6900E-5MG256I | 256-CSFBGA |
| LCMXO3L-6900E-6MG256C | 256-VFBGA |
Ansprechpartner: Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753
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