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BSS169 Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V 170mA N-Kanal Abbau-Modus MOSFET Transistoren PG-SOT23-3

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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BSS169 Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V 170mA N-Kanal Abbau-Modus MOSFET Transistoren PG-SOT23-3

BSS169 Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V 170mA N-Kanal Abbau-Modus MOSFET Transistoren PG-SOT23-3
BSS169 Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V 170mA N-Kanal Abbau-Modus MOSFET Transistoren PG-SOT23-3

Großes Bild :  BSS169 Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V 170mA N-Kanal Abbau-Modus MOSFET Transistoren PG-SOT23-3

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: BSS169
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-SOT23-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

BSS169 Integrierter Schaltkreislauf Chip 100V 170mA N-Kanal Abbau-Modus MOSFET Transistoren PG-SOT23-3

Beschreibung
Teilenummer: BSS169 Transistor-Polarität: N-Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 100 V Id – Kontinuierlicher Entladestrom: 170 mA
Rds On – Drain-Source-Widerstand: 2.9 Ohm Qg – Gate-Ladung: 2,1 nC
Hervorheben:

BSS169 N-Kanal-MOSFET-Transistor

,

MOSFET mit 100 V Abbau-Modus

,

SOT23-3 Integrierter Schaltkreislauf

BSS169 Integrierter Schaltkreis Chip 100V 170mA N-Kanal-Verarmungsmodus MOSFET-Transistoren PG-SOT23-3
Der BSS169 ist ein 100V, 170mA, N-Kanal-Verarmungsmodus-Kleinsignal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der speziell für Anwendungen wie Konstantstromquellen, Überspannungsschutz und Netzteil-Start-up entwickelt wurde.
Produktspezifikationen
Serie SIPMOS®
FET-Typ N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 170mA (Ta)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6Ohm bei 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) bei Id 1.8V bei 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs 2.8 nC bei 7 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 68 pF bei 25 V
Verlustleistung (Max) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Lieferanten-Bauteilgehäuse PG-SOT23
Gehäuse / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hauptmerkmale
  • N-Kanal Verarmungsmodus
  • dv/dt-bewertet
  • Verfügbar mit V GS(th) Indikator auf Rolle
  • Halogenfrei
  • Pb-freie Lötmittelbeschichtung; RoHS-konform
  • Qualifiziert nach AEC Q101
Anwendungen
  • Mittlere Spannung IBC (48 V)
  • Netzteile und Ladegeräte
  • DIN-Schienen-Netzteillösungen
  • Allgemeine Motorantriebe
Verwandte elektronische Komponenten auf Lager
Teilenummer Gehäuse
LCMXO2-1200ZE-2TG100I 100-TQFP
LCMXO3L-2100C-6BG256C 256-CABGA
LCMXO3L-2100C-5BG256I 256-CABGA
LCMXO2-2000HC-5MG132C 132-CSPBGA
LCMXO2-2000HE-5MG132C 132-CSPBGA
LCMXO3L-4300E-6MG324C 324-CSFBGA
LCMXO2-1200ZE-3MG132I 132-CSPBGA
LCMXO3LF-1300C-6BG256C 256-CABGA
LCMXO3L-6900E-5MG256I 256-CSFBGA
LCMXO3L-6900E-6MG256C 256-VFBGA
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, neue Originalimporte sind unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
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Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn nicht auf Lager, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Gesamtbewertung

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Hieu
Switzerland Mar 11.2026
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Japan Oct 23.2025
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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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