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GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
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GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket

GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket
GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket

Großes Bild :  GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: GD5F1GM7UEWIGR
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: WSON-8
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

GD5F1GM7UEWIGR 1 Gbit SPI NAND Flash Memory IC Chip mit SPI-Schnittstelle im WSON-8-Paket

Beschreibung
Teilenummer: GD5F1GM7UEWIGR Produkttyp: NAND-FLASH
Speichergröße: 1 Gbit Aktiver Lesestrom – max: 30mA
Zeitungsart: Synchron Schnittstellentyp: DTR/Dual/Quad SPI, SPI
Hervorheben:

1 Gbit Speicher-IC-Chip

,

SPI-Schnittstelle SPI NAND Flash

,

WSON-8-Paket-Datenspeicher-IC

GD5F1GM7UEWIGR Speicher-IC-Chip
1 Gbit SPI NAND Flash Speicher-IC WSON8 Datenspeicher-IC
Produktübersicht
Der GD5F1GM7UEWIGR ist ein 1 Gbit SPI NAND Flash Speicherchip aus der GD5F1GM7UE-Serie, der sich durch ein kompaktes WSON-8 (6x5mm) Gehäuse auszeichnet. Diese Komponente bietet eine äußerst kostengünstige, hochdichte nichtflüchtige Speicherlösung für eingebettete Systeme, die auf einem branchenüblichen NAND Flash Speicher-Kern basiert. Sie dient als hervorragende Alternative zu SPI NOR und Standard-Parallel-NAND-Flash mit fortschrittlicher Funktionalität.
Technische Spezifikationen
Serie GD5F
Speichertyp Nichtflüchtig
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 1 Gbit
Speicherorganisation 256M x 4
Speicherinterface SPI - Quad I/O, DTR
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 600µs
Zugriffszeit 7 ns
Spannung - Versorgung 2,7V ~ 3,6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Case 8-WDFN mit freiliegendem Pad
Lieferanten-Bauteilgehäuse 8-WSON (5x6)
Hauptmerkmale
  • 1 Gbit SLC NAND Flash Speicher
  • Konfigurierbare Seitengröße:
    • Interner ECC Ein (ECC_EN=1, Standard): 2048 Byte + 64 Byte
    • Interner ECC Aus (ECC_EN=0): 2048 Byte + 128 Byte
  • Hohe Taktfrequenz:
    • 3,3V: 133 MHz Standard/Dual/Quad SPI, 104 MHz DTR Quad SPI
    • 1,8V: 104 MHz Standard/Dual/Quad SPI, 80 MHz DTR Quad SPI
  • Einzelne Versorgungsspannung:
    • 1,8V Voller Bereich: 1,7V ~ 2,0V
    • 3,3V Voller Bereich: 2,7V ~ 3,6V
  • Erweiterte Sicherheitsfunktionen mit 20 KB OTP-Bereich
  • Optimierte Programm-/Lösch-/Lese-Geschwindigkeit:
    • Seitenprogrammierzeit: 320 μs typisch
    • Blocklöschzeit: 3 ms typisch
    • Seitenlesezeit: 120 μs maximal
  • Geringer Stromverbrauch: 30 mA maximaler Betriebsstrom, 50 μA maximaler Standby-Strom
  • Verbesserte Zugriffleistung mit 2 KB Cache für schnelles zufälliges Lesen
Anwendungen
  • Industrielle Steuerungssysteme
  • Internet of Things (IoT) Geräte
  • Sicherheitsüberwachungssysteme
  • Set-Top-Boxen und Router
  • Eingebettete Systeme für Unterhaltungselektronik
  • Automobil-Elektronik
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Teilenummer Gehäuse
LS1043ABE9MQB FBGA-780
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Häufig gestellte Fragen
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R
RUBY
Canada Mar 31.2026
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J
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Austria Aug 21.2025
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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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