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IRLR3114ZTRPBF 40V 130A 5,2mOhm N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor Integrierter Schaltkreis Chip

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IRLR3114ZTRPBF 40V 130A 5,2mOhm N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor Integrierter Schaltkreis Chip

IRLR3114ZTRPBF 40V 130A 5,2mOhm N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor Integrierter Schaltkreis Chip
IRLR3114ZTRPBF 40V 130A 5,2mOhm N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor Integrierter Schaltkreis Chip

Großes Bild :  IRLR3114ZTRPBF 40V 130A 5,2mOhm N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor Integrierter Schaltkreis Chip

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IRLR3114ZTRPBF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-252-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IRLR3114ZTRPBF 40V 130A 5,2mOhm N-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor Integrierter Schaltkreis Chip

Beschreibung
Teilenummer: IRLR3114ZTRPBF Transistorpolarität:: N-Kanal
Anzahl der Kanäle:: 1 Kanal Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung:: 40 V
Id – Dauerstrom:: 130 A Rds On – Drain-Source-Widerstand:: 5,2 mOhms
Hervorheben:

40-V-Drain-Source-Spannungs-Leistungs-MOSFET

,

130 A Dauerstrom-HEXFET-Transistor

,

Integrierter Schaltkreischip mit 5

IRLR3114ZTRPBF Integrierter Schaltkreis Chip 40V Einzelner N-Kanal HEXFET Power MOSFET Transistor
Dieser HEXFET Power MOSFET nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen. Zu den Hauptmerkmalen gehören eine Sperrschichttemperatur von 175°C, schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte repetitive Lawinensperrspannung, was dieses Design für vielfältige Anwendungen sehr effizient und zuverlässig macht.
Technische Spezifikationen
Parameter Wert
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V
Strom - kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 42A (Tc)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4,9mOhm bei 42A, 10V
Vgs(th) (Max) bei Id 2,5V bei 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs 56 nC bei 4,5 V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3810 pF bei 25 V
Leistungsverlust (Max) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Hauptmerkmale
  • Fortschrittliche Prozesstechnologie
  • Ultra-niedriger Einschaltwiderstand
  • 175°C Betriebstemperatur
  • Schnelles Schalten
  • Repetitive Lawine bis Tjmax zulässig
  • Logikpegel
Primäre Anwendungen
Leichte Elektrofahrzeuglösungen
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Teilenummer Gehäuse
1SG110HN3F43I1VG FBGA-1760
1SG085HN2F43I1VG FBGA-1760
BG950SGL00AA-8N-SGNSA LGA
EG120KEABA-M22-SGADA LGA
RG255CGL00AA-4M2-MN0AA MODUL
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JODY-W263-10B LGA
BG95-M3 MODUL
LEA-F9T-20B MODUL
NRF9160-SIBA-R7 LGA
LARA-L6004-00B LGA
LARA-L6804D-01B 100-LGA
LARA-L6004-01B LGA
NRF9161-LACA-R LGA
LEXI-R422-01B MODUL
NRF9161-LACA-R7 127-LGA
SARA-R410M-63BWSIM LGA-96
SARA-R410M-73BWSIM LGA-96
SARA-R422-01BWSIM LGA-96
MPCI-L210-03S MODUL
MPCI-L210-63S MODUL
MPCI-L220-02S MODUL
MPCI-L280-03S MODUL
SARA-R500S-01BWSIM LGA-96
NRF9160-SIBA-B1A-R LGA
SARA-R410M-02BWSIM LGA-96
SARA-R500S-00BWSIM LGA-96
SARA-R510M8S-00BWSIM LGA-96
SARA-R510S-01BWSIM LGA-96
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, Neuimporte sind unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
Können Sie Kleinmengenbestellungen oder Muster unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinmengenbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt.
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Was ist mit der Lieferzeit?
Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Lagerbestände vorhanden sind, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Gesamtbewertung

5.0
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H
Hieu
Switzerland Mar 11.2026
Hilfreich (860)
*"Original LB11988V. Good quality, fast delivery. Highly recommend this seller for ONSEMI parts."*
J
Jarod
Malaysia Feb 19.2026
Hilfreich (600)
"Genuine and tested. EFR32BG13 works perfectly. Will buy again."
K
Khalid
Germany Jul 16.2025
Hilfreich (851)
"Genuine AEC-Q100 qualified part. Excellent isolation and accuracy for motor current sensing. Works perfectly in my EV project. 5 stars!"*
Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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