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IQFH99N06NM5 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 60V Abflussspannung 339A Kontinuierlicher Abflussstrom und Ultra-niedrigem RDS ((on) 1,72 mOhms

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IQFH99N06NM5 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 60V Abflussspannung 339A Kontinuierlicher Abflussstrom und Ultra-niedrigem RDS ((on) 1,72 mOhms

IQFH99N06NM5 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 60V Abflussspannung 339A Kontinuierlicher Abflussstrom und Ultra-niedrigem RDS ((on) 1,72 mOhms
IQFH99N06NM5 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 60V Abflussspannung 339A Kontinuierlicher Abflussstrom und Ultra-niedrigem RDS ((on) 1,72 mOhms

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Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IQFH99N06NM5
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TSON-12
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IQFH99N06NM5 Leistungs-MOSFET-Transistor mit 60V Abflussspannung 339A Kontinuierlicher Abflussstrom und Ultra-niedrigem RDS ((on) 1,72 mOhms

Beschreibung
Teilenummer: IQFH99N06NM5 Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung:: 60 V
Id – Dauerstrom:: 339 A Rds On – Drain-Source-Widerstand:: 1,72 mOhm
Vgs – Gate-Source-Spannung:: - 20 V, 20 V Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung:: 2,8 V
Hervorheben:

60-V-Drain-Source-Spannungs-Leistungs-MOSFET

,

339 A Dauerstrom-MOSFET-Transistor

,

Integrierter Schaltkreischip mit extrem niedrigem RDS(on) und 1

IQFH99N06NM5 Integrierter Schaltkreislauf Chip OptiMOSTM 5 N-Kanal 60V 40A Leistungs-MOSFET-Transistoren
IQFH99N06NM5 Integrierter Schaltkreislauf Chip OptiMOSTM 5 N-Kanal 60V 40A Leistungs-MOSFET-Transistoren
Beschreibung des Produkts
Das IQFH99N06NM5 60V-MOSFET mit normaler Leistung verfügt über unser neuestes innovatives, kompaktes PQFN 8x6 mm2 Paket auf Klemmbasis, das sehr hohe Strom- und Leistungsniveaus ermöglicht.Diese Komponente bietet einen extrem niedrigen RDS ((on) von 0.68 mΩ kombiniert mit hervorragender thermischer Leistung, die eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für verschiedene Anwendungen einschließlich batteriebetriebener Systeme, Batteriemanagement,Geräte für die Herstellung von elektrischen Geräten, und SMPS.
Technische Spezifikation
Parameter Wert
Packung / Gehäuse TSON-12
Polarität des Transistors N-Kanal
Anzahl der Kanäle 1 Kanal
Vds - Abflussspannung 60 V
Id - Kontinuierlicher Abfluss 339 A
Rds On - Abflusswiderstand 1.72 mOhms
Vgs - Spannung der Torquelle -20 V, 20 V
Vgs th - Grenzspannung der Torquelle 2.8 V
Qg - Torbelastung 115 n. Chr.
Mindestbetriebstemperatur -55 °C
Höchstbetriebstemperatur +175 °C
Pd - Energieverschwendung 214 W
Ausstattung Einzigartig
Herbstzeit 48 ns
Vorwärtsüberleitung - Min 120 S
Art der Ware MOSFETs
Aufstiegszeit 78 ns
Typische Verzögerungszeit für die Abschaltung 54 ns
Typische Anschaltverzögerung 15 ns
Wesentliche Merkmale
  • Spitzentechnologie für Silizium
  • Hoches Chip-Package-Verhältnis
  • Ultrahohe Ströme in einem kompakten Fußabdruck
  • Parasitische Substanzen mit sehr geringer Packung
  • Optimiertes Lead-Frame- und Cu-Clip-Design
  • Kompatibilität mit dem PQFN 5x6
  • Kompaktes Layout mit weniger Parallelen
Leistungsvorteile
  • Minimierte Leitverluste
  • Hochleistungsfähigkeit
  • Überlegene Leistung des Geräts
  • Verringerte Spannungsüberschreitung
  • Überlegene thermische Leistung
  • Wiederverwendungsplatte für mehrere Leistungsstufen
  • Überlegene Schaltleistung/EMI
Zielanwendungen
  • Lösungen für leichte Elektrofahrzeuge
  • Lösungen für E-Bikes
  • Multikopter und Drohnen
  • Elektrowerkzeuge
  • Robotik
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
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Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
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A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
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F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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