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IQFH68N06NM5 Power MOSFET Integrierter Schaltkreislauf-Chip mit 60V Abflussquelle Spannung, 460A kontinuierlicher Abflussstrom und ultra-niedrigem RDS ((on) 0,68mΩ

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IQFH68N06NM5 Power MOSFET Integrierter Schaltkreislauf-Chip mit 60V Abflussquelle Spannung, 460A kontinuierlicher Abflussstrom und ultra-niedrigem RDS ((on) 0,68mΩ

IQFH68N06NM5 Power MOSFET Integrierter Schaltkreislauf-Chip mit 60V Abflussquelle Spannung, 460A kontinuierlicher Abflussstrom und ultra-niedrigem RDS ((on) 0,68mΩ
IQFH68N06NM5 Power MOSFET Integrierter Schaltkreislauf-Chip mit 60V Abflussquelle Spannung, 460A kontinuierlicher Abflussstrom und ultra-niedrigem RDS ((on) 0,68mΩ

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Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IQFH68N06NM5
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TSON-12
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IQFH68N06NM5 Power MOSFET Integrierter Schaltkreislauf-Chip mit 60V Abflussquelle Spannung, 460A kontinuierlicher Abflussstrom und ultra-niedrigem RDS ((on) 0,68mΩ

Beschreibung
Teilenummer: IQFH68N06NM5 Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung:: 60 V
Id – Dauerstrom:: 460 A Rds On – Drain-Source-Widerstand:: 1,12 Ohm
Vgs – Gate-Source-Spannung:: - 20 V, 20 V Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung:: 2,8 V
Hervorheben:

60-V-Drain-Source-Spannungs-Leistungs-MOSFET

,

Integrierter Schaltkreischip mit 460 A kontinuierlichem Drainstrom

,

Extrem niedriger RDS(on) 0

IQFH68N06NM5 Integrierter Schaltkreislauf Chip Hochleistungs-OptiMOSTM 5 60V Leistungs-MOSFET-Transistoren
IQFH68N06NM5 60V Normalleistung MOSFET kommt in unserem neuesten innovativen, kompakten Clip-basierten PQFN 8x6 mm2 Paket, das sehr hohe Strom- und Leistungsniveaus ermöglicht.68 mΩ kombiniert mit hervorragenden thermischen LeistungenDies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen wie batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagement, Niederspannungsantriebe und SMPS.
Technische Spezifikation
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 48A (Ta), 460A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.68mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 217μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 252 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15900 pF @ 30 V
Leistungsausfall (maximal) 3W (Ta), 273W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Wesentliche Merkmale
  • Spitzentechnologie für Silizium
  • Hoches Chip-Package-Verhältnis
  • Ultrahohe Ströme in einem kompakten Fußabdruck
  • Parasitische Substanzen mit sehr geringer Packung
  • Optimiertes Lead-Frame- und Cu-Clip-Design
  • Kompatibilität mit dem PQFN 5x6
  • Kompaktes Layout mit weniger Parallelen
Leistungsvorteile
  • Minimierte Leitverluste
  • Hochleistungsfähigkeit
  • Überlegene Leistung des Geräts
  • Verringerte Spannungsüberschreitung
  • Überlegene thermische Leistung
  • Wiederverwendungsplatte für mehrere Leistungsstufen
  • Überlegene Schaltleistung/EMI
Zielanwendungen
  • Lösungen für leichte Elektrofahrzeuge
  • Lösungen für E-Bikes
  • Multikopter und Drohnen
  • Elektrowerkzeuge
  • Robotik
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Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte originell?
Ja, alle Produkte sind Original, neu Original Import ist unser Zweck.
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Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
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Ja, wir unterstützen Musterbestellung und kleine Bestellung. Die Kosten für Muster sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
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Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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