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IQFH86N06NM5 Integrierte Schaltkreis-Chips Power MOSFET mit 60V Abflussspannung 394A kontinuierlicher Abflussstrom und Abflusswiderstand von 1,47 mOhms

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IQFH86N06NM5 Integrierte Schaltkreis-Chips Power MOSFET mit 60V Abflussspannung 394A kontinuierlicher Abflussstrom und Abflusswiderstand von 1,47 mOhms

IQFH86N06NM5 Integrierte Schaltkreis-Chips Power MOSFET mit 60V Abflussspannung 394A kontinuierlicher Abflussstrom und Abflusswiderstand von 1,47 mOhms
IQFH86N06NM5 Integrierte Schaltkreis-Chips Power MOSFET mit 60V Abflussspannung 394A kontinuierlicher Abflussstrom und Abflusswiderstand von 1,47 mOhms

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Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IQFH86N06NM5
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TSON-12
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IQFH86N06NM5 Integrierte Schaltkreis-Chips Power MOSFET mit 60V Abflussspannung 394A kontinuierlicher Abflussstrom und Abflusswiderstand von 1,47 mOhms

Beschreibung
Teilenummer: IQFH86N06NM5 Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung:: 60 V
Id – Dauerstrom:: 394 A Rds On – Drain-Source-Widerstand:: 1,47 mOhm
Vgs – Gate-Source-Spannung:: - 20 V, 20 V Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung:: 2,8 V
Hervorheben:

60-V-Drain-Source-Spannungs-Leistungs-MOSFET

,

394A Dauerstrom-Leistungs-MOSFET

,

1

IQFH86N06NM5 integrierte Schaltkreis-Chip Hochleistungs-OptiMOSTM 5 N-Kanal-MOSFET-Transistoren
Das IQFH86N06NM5 60V Normalleistung MOSFET verfügt über ein innovatives, kompaktes PQFN 8x6 mm2 Paket auf Klemmbasis, das für Hochstrom- und Leistungsanwendungen entwickelt wurde.Diese Komponente liefert einen ultra-niedrigen RDS ((on) von 0.68 mΩ kombiniert mit außergewöhnlicher thermischer Leistung, die eine überlegene Systemeffizienz und Leistungsdichte für batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme, Niederspannungsantriebe und SMPS ermöglicht.
Technische Spezifikation
Parameter Wert
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 43A (Ta), 394A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.86mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 176μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 206 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12900 pF @ 30 V
Leistungsausfall (maximal) 3 W (Ta), 250 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Wesentliche Merkmale
  • Spitzentechnologie für Silizium
  • Ausgezeichnete FOM (Merkmale)
  • Hoches Chip-Package-Verhältnis
  • Optimiertes Lead-Frame- und Cu-Clip-Design
  • Eingeschlossene Q1/Q2 MOSFETs
  • Kompaktes und vereinfachtes Layout
  • Zwei-seitige Kühlfähigkeit
Leistungsvorteile
  • Minimierte Leitverluste
  • Hochleistungsfähigkeit
  • Überlegene Leistung des Geräts
  • Verringerte Spannungsüberschreitung
  • Überlegene thermische Leistung
  • Wiederverwendungsplatte für mehrere Leistungsstufen
  • Überlegene Schaltleistung/EMI
Zielanwendungen
  • Lösungen für leichte Elektrofahrzeuge
  • Lösungen für E-Bikes
  • Multikopter und Drohnen
  • Elektrowerkzeuge
  • Robotik
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
Verwandte elektronische Komponenten
Teilnummer Paket
TSV774IYPT 14-TSSOP
TSL6001ILT SOT-23-5
TSU111RILT SOT-23-5
Das System ist in der Lage, die Daten zu überwachen. 32 VFQFN
LAN8672C1-E/LNX VQFN-36
Das System ist in der Lage, die Daten zu verarbeiten. VQFN-24
Das System ist in der Lage, die Daten zu verarbeiten. TFBGA-100
LAN9662-I/9MX LFBGA-256
KSZ8765CLXIC LQFP-80
LAN7430-I/Y9X VFQFN-48
KSZ9563RNXI QFN-64
LAN9662/9MX LFBGA-256
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KSZ8567RTXI TQFP-128
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ISL81805FRTZ TQFN-32
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R7S910025CBA FBGA-320
R7S910036CBA FBGA-320
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Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte originell?
Ja, alle Produkte sind Original, neu Original Import ist unser Zweck.
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Ja, wir unterstützen Musterbestellung und kleine Bestellung. Die Kosten für Muster sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
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Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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