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ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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—— Nishikawa aus Japan

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ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor

ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor
ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor

Großes Bild :  ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: ISC040N10NM7
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-TDSON-8
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 100V 130A 4mOhms OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor

Beschreibung
Teilenummer: ISC040N10NM7 Transistorpolarität:: N-Kanal
Anzahl der Kanäle:: 1 Kanal Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung:: 100 V
Id – Dauerstrom:: 130 A Rds On – Drain-Source-Widerstand:: 4 mOhms
Hervorheben:

100 V integrierte Schaltung Chip

,

130A Leistungs-MOSFET

,

4 mOhm N-Kanal-Transistor

ISC040N10NM7 Integrierter Schaltkreislauf-Chip - 100V 18A OptiMOSTM 7 N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren
Die ISC040N10NM7 OptiMOSTM 7 100V stellt die neueste Technologie für Leistungs-MOSFET-Transistoren dar und setzt einen neuen Industriestandard für die perfekte Balance zwischen Energieeffizienz, Leistung,und KosteneffizienzDiese fortschrittliche Komponente liefert im Vergleich zu OptiMOSTM 5 in SuperSO8-Verpackungen eine um über 32% verbesserte Verdienstquote (FOM).
Wichtige Vorteile
Verbesserte Schaltleistung im Vergleich zu OptiMOSTM 5
Überlegene Benutzerfreundlichkeit durch weichere Karosseriediode
Verbesserte Energieeffizienz und thermisches Management
Robuste und zuverlässige industrielle Leistung
Technische Spezifikation
Parameter Spezifikation
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 100 V
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.2V @ 66μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 50 V
Leistungsausfall (maximal) 3 W (Ta), 150 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C
Produktmerkmale
  • Hochleistungssiliziumtechnologie
  • Kompatibilität mit Torantrieb auf normaler Ebene
  • Höchstbetriebstemperatur 175°C
  • Industrielle Qualifikationsnormen
Hauptanwendungen
  • Photovoltaikanlagen und Umwandlung von Solarenergie
  • Motorsteuerungs- und Antriebssysteme
  • Gleichspannungsumwandlungsschaltkreise
  • Industrielle Strommanagementsysteme
Verwandte Bestandteile
Teilnummer Paket
TPS26632RGER24-VFQFN
TPS259822LNRGER24-VFQFN
TPS259822ONRGER24-VFQFN
TPS259824ONRGER24-VFQFN
TPS259827ONRGER24-VFQFN
TPS259827LNRGER24-VFQFN
TPS259520DSGR8-WFDFN
TPS259531DSGR8-WFDFN
TPS259630DDAR8-PowerSOIC
LM74502HQDDFRQ1SOT-23-8
TPS26630RGER24-VFQFN
TPS26633RGER24-VFQFN
Die Bezeichnung "S" ist die Bezeichnung für die Beförderung von Fahrzeugen.8-PowerVDFN
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.H2PAK-6
STO67N60DM68-PowerSFN
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.8-PowerVDFN
STO36N60M68-PowerSFN
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.H2PAK-7
Die Daten sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1372/2008 enthalten.H2PAK-7
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.8-PowerVDFN
St.B.36N60M6D2PAK
Die Ausrüstung ist in Form vonHU3PAK
Die Ausrüstung ist in der Lage,HU3PAK
St.B.33N60DM2D2PAK
Std80N450K6TO-252
STO33N60M68-PowerSFN
Die Bezeichnung "B" ist die Bezeichnung, die für die Bezeichnung "B" gilt.D2PAK
St.B.33N60DM6D2PAK
STO67N60M68-PowerSFN
Stl33N60DM68-PowerVDFN
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte originell?
Ja, alle Produkte sind Original, und die Beschaffung neuer Original-Importkomponenten ist unser Hauptgeschäftszweck.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und aktives Mitglied der ERAI (Electronic Resellers Association International).
Können Sie kleine Bestellungen oder Proben unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Anforderungen an kleine Mengen. Musterkosten variieren je nach Ihrer spezifischen Bestellung oder Projektanforderungen.
Wie versenden Sie Bestellungen?
Wir verwenden die wichtigsten Expresstransporteure, darunter DHL, FedEx, UPS, TNT und EMS. Wir können auch Ihren bevorzugten Spediteur verwenden. Alle Produkte erhalten professionelle Verpackung, um die Sicherheit zu gewährleisten,und wir übernehmen die Verantwortung für alle Produktschäden während des Versands.
Was ist Ihre typische Vorlaufzeit?
Wir liefern Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen. Für nicht auf Lager befindliche Artikel bestätigen wir die Lieferzeit basierend auf Ihrer spezifischen Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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