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ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit 2,8mOhm RDS ((an)

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit 2,8mOhm RDS ((an)

ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit 2,8mOhm RDS ((an)
ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit 2,8mOhm RDS ((an)

Großes Bild :  ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit 2,8mOhm RDS ((an)

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: ISZ028N03LF2S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-TSDSON-8
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf Chip 30V 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit 2,8mOhm RDS ((an)

Beschreibung
Teilenummer: ISZ028N03LF2S Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
Id – Kontinuierlicher Entladestrom: 128 A Rds On – Drain-Source-Widerstand: 2.8 mOhms
Qg – Gate-Ladung: 27 nC Pd – Verlustleistung: 83 W
Hervorheben:

Integrierter Schaltkreischip mit 30 V Drain-Source-Spannung

,

128 A Dauerstrom-Leistungs-MOSFET-Transistor

,

2

ISZ028N03LF2S Integrierter Schaltkreislauf 30V 128A StrongIRFETTM 2 Leistungs-MOSFET-Transistoren
Produktübersicht

Der ISZ028N03LF2S ist ein 30V, 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET Transistor mit einem best-in-class RDS ((on) von 2,8 mOhm in einem kompakten PQFN 3,3 x 3,3 Paket.Diese fortschrittliche Komponente bietet eine breite Palette von Anwendungen für Umgebungen mit niedriger bis hoher Frequenz.

Im Vergleich zu früheren Technologien erzielt die ISZ028N03LF2S eine RDS-Verbesserung von bis zu 40% und bietet gleichzeitig eine FOM-Verbesserung von bis zu 60% und eine hervorragende Betriebssicherheit.

Technische Spezifikation
Reihe StrongIRFETTM 2
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 30 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 22A (Ta), 128A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 30μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4,5 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 15 V
Leistungsausfall (maximal) 3 W (Ta), 83 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket PG-TSDSON-8 FL
Packung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Wesentliche Merkmale
  • Optimiert für eine breite Palette von Anwendungen
  • N-Kanal, Logik-Level-Konstruktion
  • Zuverlässigkeitsprüfung bei 100% Lawinegewinn
  • Nenntemperatur 175°C
  • Vielseitigkeit von Produkten für allgemeine Zwecke
  • Ausgezeichnete Betriebssicherheit
  • Überlegenes Preis-Leistungsverhältnis
  • Breite Verfügbarkeit bei den Händlern
  • Standardverpackungen und Pin-Out
  • Hohe Produktions- und Lieferstandards
Typische Anwendungen
  • Verbraucherelektronik
  • USB-C-Ladegeräte und -Adapter
  • Multikopter und Drohnen
  • Elektrowerkzeuge
  • Kabellose Elektrowerkzeuge und Außenstromgeräte
  • Antriebe und Steuerungen für Industriemotoren
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Leistungsumwandlungssysteme
Verwandte elektronische Komponenten auf Lager
Teilnummer Paket
Es ist nicht erlaubt, dass ein Teil der Anlage in einem anderen Bereich verlegt wird. Modul
DA16200MOD-AAE4WA32 Modul
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten. Modul
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. VFQFN-56
WFM200SS22XNN3R QFN
WGM160P022KGN4R Modul
FCU741RACTA Modul
Die Befehlshaberin ist der zuständigen Behörde unterstellt, die die Befehlshaberin ist. BGA
Die Befehle für die Beförderung von Fahrzeugen sind in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 216/2008 zu entnehmen. QFN
MGM240PB32VNN3 Modul
M2-JODY-W377-00C Modul
ODIN-W262-05B Modul
MGM210PB22JIA2R Modul
USE Gewerbetreibende Modul
MT7921LEN/B QFN
MC60ECB-04-BLE LCC
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Leistungsfähigkeit. LGA-173
MGM13P12F512GE-V2 Modul
DA16600MOD-AAC4WA32 Modul
Es ist nicht erforderlich, dass die in Absatz 1 genannten Anforderungen erfüllt werden. Modul
Die Angabe des Zustands des Zustands des Zustands der Zustände ist in der Angabe des Zustands der Zustände zu ermitteln. Modul
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 der Kommission zu übermitteln. Modul
ATWINC3400-MR210CA142 Modul
LBEE5ZZ2XS-846 Modul
LBUA0VG2BP-741 LGA
LBEE5XV1XA-540 Modul
LBWA0ZZ2DS-688 Modul
LBWA1KL1FX-875 Modul
LBWA1UZ1GC-901 Modul
MGM13P02F512GE-V2R Modul
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte originell?
Ja, alle Produkte sind Original, neu Original Import ist unser Zweck.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
Können Sie eine kleine Bestellung oder Probe unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellung und kleine Bestellung. Die Kosten für Muster sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
Wie kann ich meine Bestellung versenden?
Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
Was ist mit der Vorlaufzeit?
Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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