|
Produktdetails:
|
| Teilenummer: | IPDQ60R055CM8 | ID (@ TC=25°C) max: | 45 A |
|---|---|---|---|
| ID (@25°C) max: | 45 A | IDpuls (@25°C) max: | 148 A |
| RDS (ein) (@ Tj = 25°C): | 45,83315 mΩ | Ptot (@25°C) maximal: | 236 Watt |
| Hervorheben: | 600-V-Leistungs-MOSFET-Transistor,45A integrierter Schaltkreischip,Reduzierte Gate-Ladung CoolMOS™ 8 |
||
IPDQ60R055CM8 ist ein N-Kanal 600V CoolMOSTM 8 Power MOSFET Transistor mit signifikanten Leistungsverbesserungen gegenüber früheren Generationen.Dieser fortschrittliche Leistungshalbleiter sorgt für eine um 20% geringere Torladung (Qg) als CFD7Die Kommission ist der Auffassung, dass die in den Erwägungsgründen 8 bis 11 genannten Maßnahmen nicht in Einklang mit dem Grundsatz der angemessenen Verringerung der Rückversicherungseinnahmen stehen.
| Parameter | Wert |
|---|---|
| ID (@ TC=25°C) max. | 45 A |
| ID (@25°C) max. | 45 A |
| IDpuls (@25°C) max. | 148 A |
| Montierung | SMT |
| Betriebstemperatur (Tj) | -55 °C bis 150 °C |
| Paket | Q-DPAK |
| Polarität | N |
| Ptot (@25°C) max. | 236 Watt |
| QG (typisch @10V) | 51 nC |
| RDS (an) (@ Tj = 25°C) | 45.83315 mΩ |
| VDS max | 600 V |
| VGS (th) | 4.2 V |
Ansprechpartner: Sales Manager
Telefon: 86-13410018555
Faxen: 86-0755-83957753