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IQE031N08LM6CGSC integrierter Schaltkreislauf-Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET mit 125W Leistungsauflösung

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
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—— Nishikawa aus Japan

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IQE031N08LM6CGSC integrierter Schaltkreislauf-Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET mit 125W Leistungsauflösung

IQE031N08LM6CGSC integrierter Schaltkreislauf-Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET mit 125W Leistungsauflösung
IQE031N08LM6CGSC integrierter Schaltkreislauf-Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET mit 125W Leistungsauflösung

Großes Bild :  IQE031N08LM6CGSC integrierter Schaltkreislauf-Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET mit 125W Leistungsauflösung

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IQE031N08LM6CGSC
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-WHTFN-9
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

IQE031N08LM6CGSC integrierter Schaltkreislauf-Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET mit 125W Leistungsauflösung

Beschreibung
Teilenummer: IQE031N08LM6CGSC Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Mindestbetriebstemperatur:: - 55 C Maximale Betriebstemperatur:: + 175 C
Pd - Verlustleistung:: 125 W Vorwärtstranskonduktanz - Min.:: 55 Sekunden
Hervorheben:

80-V-Leistungs-MOSFET

,

Integrierter Schaltkreischip mit 125 W Verlustleistung

,

N-Kanal OptiMOS™ 6

IQE031N08LM6CGSC Integrierter Schaltkreislauf Chip N-Kanal 80V OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET-Transistoren
Produktübersicht
IQE031N08LM6CGSC ist Infineons neues OptiMOSTM 6-Leistungs-MOSFET 80 V-Logikniveau in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) Doppelseitige Kühlung (DSC)bietet den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche RDS ((on) bei 25 ̊C, überlegene thermische Leistung und optimierte Parallelisierung.
Technische Spezifikation
Parameter Wert
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 80 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 18A (Ta), 127A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 50,8μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 40 V
Leistungsausfall (maximal) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Wesentliche Merkmale
  • Logische Ebene ermöglicht niedrigere Qrr und QOSS
  • Center Gate für die Parallelisierung optimiert
  • Bis zu 35% niedrigere RDS (on) im Vergleich zur vorherigen Generation
  • Neue, optimierte Layoutmöglichkeiten
Leistungsvorteile
  • Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
  • Überlegene thermische Leistung
  • Effizientes Layout für die Raumnutzung
  • Vereinfachte MOSFET-Parallelisierung
  • Verbesserte PCB-Verluste
Anwendungen
  • 48-Volt-Intermediate Bus Converter (IBC)
  • Telekommunikationsinfrastruktur
Verwandte Bestandteile
Teilnummer Paket
ISOUSB211DPR 28-SSOP
TPS25859QRPQRQ1 25-VQFN
TPS25868QRPQRQ1 25-VQFN
TPS25846QCWRHBRQ1 32-VQFN
TPS25833QCWRHBRQ1 32-VQFN
TPS25852QRPQRQ1 25-VQFN
TPS25831QWRHBRQ1 32-VQFN
TPS25762CAQRQLRQ1 29-VQFN
TPS25730SRSMR 32-VQFN
Für die Verwendung in Kraftfahrzeugen 12-XFQFN
Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anlagen zu erzeugen. 12-X2QFN
TPS25730DREFR Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
TPD3S713AQRVCRQ1 20-WQFN
Die Ausrüstung wird von der Anlage ausgestattet. 20-VQFN
- Das ist nicht wahr. 441-FCBGA
AM6442BSEGHAALV 441-FCBGA
AM6251ATCGHAALW 425-FCCSP
DRA821U4TGBALMR 433-FCBGA
DRA821U2CGBALMR 433-FCBGA
AM6254ATGFHIAMCRQ1 441-FCBGA
LMK1D1216RGZR 48-VQFN
LMK1C1108PWR 16-TSSOP
2EDN7534R TSSOP-8
2EDF7275K TFLGA-13
2EDN8534R TSSOP-8
2ED2101S06F DSO-8
TDA21590 QFN-39
2EDN7533R TSSOP-8
1ED3461MC12M DSO-16
2EDN7434R TSSOP-8
Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellung oder Probe unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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