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EPC2051 Integrierter Schaltkreis-Chip eGaN FET Transistor mit 100V Drain-Source-Spannung, 1,7A Dauer-Drain-Strom und 25 mOhm Drain-Source-Widerstand

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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EPC2051 Integrierter Schaltkreis-Chip eGaN FET Transistor mit 100V Drain-Source-Spannung, 1,7A Dauer-Drain-Strom und 25 mOhm Drain-Source-Widerstand

EPC2051 Integrierter Schaltkreis-Chip eGaN FET Transistor mit 100V Drain-Source-Spannung, 1,7A Dauer-Drain-Strom und 25 mOhm Drain-Source-Widerstand
EPC2051 Integrierter Schaltkreis-Chip eGaN FET Transistor mit 100V Drain-Source-Spannung, 1,7A Dauer-Drain-Strom und 25 mOhm Drain-Source-Widerstand

Großes Bild :  EPC2051 Integrierter Schaltkreis-Chip eGaN FET Transistor mit 100V Drain-Source-Spannung, 1,7A Dauer-Drain-Strom und 25 mOhm Drain-Source-Widerstand

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: EPC2051
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: STERBEN
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

EPC2051 Integrierter Schaltkreis-Chip eGaN FET Transistor mit 100V Drain-Source-Spannung, 1,7A Dauer-Drain-Strom und 25 mOhm Drain-Source-Widerstand

Beschreibung
Teilenummer: EPC2051 Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 100 v
Id – Kontinuierlicher Entladestrom: 1.7 a Rds On – Drain-Source-Widerstand: 25 mOhms
Qg – Gate-Ladung: 1,8 nC Vgs - Tor-Quellspannung: 6 V, - 4 V
Hervorheben:

100-V-Drain-Source-Spannungs-eGaN-FET-Transistor

,

1

,

7 A Dauerstrom-Leistungstransistor

EPC2051 Integrierter Schaltkreis Chip eGaN FET Transistoren
100V Enhancement-Mode-Leistungstransistor mit außergewöhnlich hoher Elektronenmobilität und niedrigem Temperaturkoeffizienten für überlegene Leistung in Leistungsanwendungen.
Produktübersicht
Der EPC2051 ist ein 100V eGaN FET Enhancement-Mode-Leistungstransistor, der durch seine laterale Baustruktur und das Mehrheitsträger-Dioden-Design außergewöhnliche Leistung liefert und ultra-niedrige Abschaltverluste (QG) und keine Variation des Schaltwiderstands (QRR) bietet.
Technische Daten
Parameter Wert
Serie eGaN®
Verpackung Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Teil Status Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C 1,7A (Ta)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V @ 1,5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2,1 nC @ 5 V
Vgs (Max) +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 258 pF @ 50 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Oberflächenmontage
Lieferantengehäuse Die
Gehäuse / Gehäuse Die
Anwendungen
  • Open-Rack-Serverarchitekturen
  • Lidar/gepulste Leistungsanwendungen
  • Netzteile
  • Klasse D Audio
  • LED-Beleuchtung
  • Motorantrieb mit geringer Induktivität
  • ToF-Modul mit Vcsel-Laser für Kameramodule, Laptops und Smartphones
Zugehörige elektronische Komponenten
Teilenummer Gehäuse
QPA5368SR QFN-20
QPC3025TR13 QFN-32
QPB9348SR QFN-40
QPA2735TR7 QFN-16
QPF4658TR13 QFN
QPC1022SR LGA-9
QPF4001TR7 QFN
QPL9095TR7 DFN-8
QPA3333SR QFN-9
QPM2637SR QFN-28
QPA4425SR QFN-40
QPA9421TR13 SMD-14
QPF7219SR LGA-24
QPM1002TR7 QFN-24
QPF4005TR7 QFN
QPC8014QSR QFN-13
QPM6000SR QFN-34
QPA9442SR QFN-20
QPA9805SR LGA-16
QPA3333TR13 SMD
QPF4288SR QFN-24
QPA9421SR SMD-14
RFCM3327SR QFN-8
RFCM3328SR QFN-8
QPF4200SR QFN
QPB8857TR13 QFN-40
QPC8013QSR SMD-13
QPM2637TR7 QFN-28
QPB8958SR QFN-40
QPA4428SR QFN-40
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
Können Sie eine Kleinmengenbestellung oder ein Muster unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
Wie wird meine Bestellung versendet? Ist es sicher?
Wir verwenden Expressversand, wie z. B. DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden gut verpackt und die Sicherheit gewährleistet, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
Wie sieht es mit der Vorlaufzeit aus?
Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir die Vorlaufzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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