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W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM
W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

Großes Bild :  W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: W631GU6MB-11
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: VFBGA-96
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip 1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM

Beschreibung
Teilenummer: W631GU6MB-11 Speichergröße:: 1 Gbit
Datenbusbreite:: 16 Bit Maximale Taktfrequenz:: 933 MHZ
Organisation:: 64 M x 16 Versorgungsstrom - Max:: 240 MA
Hervorheben:

1 Gbit Speicher-IC-Chip

,

933 MHz DDR3L SDRAM

,

Paralleler Speicher-IC-Chip

W631GU6MB-11 Speicher-IC-Chip
1 Gbit Parallel 933 MHz DDR3L SDRAM Speicher
Produktübersicht
Der W631GU6MB-11 ist ein 1 Gbit DDR3L SDRAM, der als 8.388.608 Wörter über 8 Bänke mit 16-Bit-Architektur organisiert ist. Dieses Hochleistungsspeichergerät bietet Übertragungsraten von bis zu 2133 MT/s (DDR3L-2133) für verschiedene Industrie- und Computeranwendungen.
Technische Daten
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 1 Gbit
Speicherorganisation 64M x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Hauptmerkmale
  • Stromversorgung: 1,35 V (typ.), VDD, VDDQ = 1,283 V bis 1,45 V
  • Abwärtskompatibel zu VDD, VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
  • Double Data Rate-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
  • Acht interne Bänke für gleichzeitigen Betrieb
  • 8-Bit-Prefetch-Architektur
  • CAS-Latenz: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 und 14
  • Burst-Länge 8 (BL8) und Burst-Chop 4 (BC4) Modi
  • Programmierbare Leseburst-Reihenfolge: verschachtelt oder Nibble-sequenziell
  • Bidirektionale, differentielle Daten-Strobes (DQS und DQS#)
  • DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge mit dem Takt aus
  • Differentielle Takteingänge (CK und CK#)
  • Posted CAS mit programmierbarer additiver Latenz
  • Auto-Precharge-Betrieb für Lese- und Schreib-Bursts
  • Refresh, Self-Refresh, Auto Self-Refresh und Partial Array Self-Refresh
  • Precharged Power Down und Active Power Down
  • Datenmasken (DM) für Schreibdaten
  • Programmierbare CAS-Schreiblatenz (CWL) pro Betriebsfrequenz
  • Mehrzweckregister für System-Timing-Kalibrierung
  • Unterstützung der System-Timing-Kalibrierung über Write Leveling
  • ZQ-Kalibrierung für Ausgangstreiber und ODT
  • Asynchroner RESET#-Pin für die Initialisierung
  • Programmierbare On-Die-Terminierung (ODT)
  • Dynamischer ODT-Modus für verbesserte Signalintegrität
  • 2K Byte Seitengröße
  • VFBGA 96-Ball-Gehäuse (7,5 x 13 mm², 1,0 mm Dicke)
  • RoHS-konform, bleifreie Materialien
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Häufig gestellte Fragen
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Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
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Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Für Artikel, die nicht auf Lager sind, bestätigen wir die Vorlaufzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

USB-PD 3,

0 MPQ5031,

USB-PD-Prüfer QFN20

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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