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MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket
MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

Großes Bild :  MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: USE Gefahrenabweichung
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: VFBGA-63
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

MT29F1G08ABAEAH4:E 1 Gbit Parallel-NAND-Flash-Speicher-IC-Chip mit asynchroner E/Ausgabe im VFBGA-63-Paket

Beschreibung
Teilenummer: USE Gefahrenabweichung Speichergröße:: 1 Gbit
Organisation:: 128 M x 8 Datenbusbreite:: 8 Bit
Aktiver Lesestrom - Max:: 35 MA Timing-Typ:: Asynchron
Hervorheben:

1 Gbit Speicher-IC-Chip

,

VFBGA-63-Paket NAND-Flash-Speicher

,

Asynchroner E/A-Parallel-NAND-Flash

MT29F1G08ABAEAH4:E Speicher-IC-Chip
1 Gbit paralleler NAND-Flash-Speicher im VFBGA-63-Gehäuse
Produktübersicht
Der MT29F1G08ABAEAH4:E ist ein 1 Gbit paralleler NAND-Flash-Speicherbaustein im VFBGA-63-Gehäuse. Dieser Hochleistungsspeicher verfügt über eine asynchrone Datenschnittstelle, die für effiziente E/A-Operationen optimiert ist und einen hochgemultiplexten 8-Bit-Bus (I/Ox) für die Übertragung von Befehlen, Adressinformationen und Daten verwendet.
Technische Daten
Spezifikation Details
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND
Speichergröße 1 Gbit
Speicherorganisation 128M x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2,7 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Hauptmerkmale
  • ONFI (Open NAND Flash Interface) 1.0-konform
  • Single-Level-Cell (SLC)-Technologie
  • Erweiterte Speicherorganisation:
    • Seitengröße x8: 2112 Bytes (2048 + 64 Bytes)
    • Seitengröße x16: 1056 Wörter (1024 + 32 Wörter)
    • Blockgröße: 64 Seiten (128K + 4K Bytes)
    • Ebenengröße: 2 Ebenen x 512 Blöcke pro Ebene
    • Bausteingröße: 1 Gbit: 1024 Blöcke
  • Hochleistungs-asynchrone E/A-Operationen
  • Optimierte Array-Leistung mit schnellen Lese-, Programmier- und Löschzeiten
  • Umfassender Befehlssatz, der das ONFI NAND Flash-Protokoll unterstützt
  • Erweiterte Betriebsfunktionen, einschließlich Cache-Modi und OTP-Funktionalität
  • Hardware- und Softwaremethoden zur Überwachung des Betriebsstatus
  • Eingebaute Schreibschutz- und Datenverschiebungsfunktionen
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Größe und Tag:

USB-PD 3,

0 MPQ5031,

USB-PD-Prüfer QFN20

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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