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IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand

IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand
IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand

Großes Bild :  IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand

Produktdetails:
Place of Origin: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Model Number: IPT007N06N
Zahlung und Versand AGB:
Minimum Order Quantity: 10
Preis: Contact for Sample
Packaging Details: HSOF-8
Delivery Time: 5-8 work days
Payment Terms: T/T,L/C,Western Union
Kontakt

IPT007N06N Integrierter Schaltkreis-Chip 60V OptiMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor mit 300A Dauer-Drain-Strom und 750 uOhm Drain-Source-Widerstand

Beschreibung
Part Number: IPT007N06N Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:: 60 V
Id - Continuous Drain Current:: 300 A Rds On - Drain-Source Resistance:: 750 uOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:: - 20 V, 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:: 2.1 V
Hervorheben:

Integrierter Schaltkreischip mit 60 V Drain-Source-Spannung

,

300 A Dauerstrom-Leistungs-MOSFET-Transistor

,

750 uOhm Drain-Source-Widerstand OptiMOS™ N-Kanal

IPT007N06N Integrierter Schaltkreislauf-Chip 60V OptiMOSTM N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistor
Produktübersicht

IPT007N06N ist ein 60V OptiMOSTM N-Channel Power MOSFET-Transistor mit einem TO-Leadless-Paket, das für Hochstromanwendungen wie Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge (LEV),Systeme zur Bereitstellung von Ladepunkten (POL)Dieses Paket bietet außergewöhnliche Effizienz, überlegene EMI-Leistung, hervorragende thermische Eigenschaften und platzsparendes Design für Hochleistungsanwendungen.

Spezifikationen
Parameter Wert
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 280μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 287 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V
Leistungsausfall (maximal) 375 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Wesentliche Merkmale
  • Die niedrigste R der IndustrieDS (an)
  • Höchste Stromkapazität > 480 A
  • Niedrigverpackte Parasiten und Induktionsmittel
Leistungsvorteile
  • Verringerte Anforderungen an die Parallelleitung und Kühlung
  • Höchste Systemsicherheit
  • Senkung der Systemkosten
  • Ermöglicht ein sehr kompaktes Design
Anwendungen
  • Hochspannungssysteme für Gleichspannungs-Gleichspannungsumwandler
  • Brennstoffzellensteuerungseinheit (FCCU)
  • Kabellose Elektrowerkzeuge und Außenstromgeräte
  • Industrieanwendungen
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. 16-SOIC
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Häufig gestellte Fragen
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Ja, alle Produkte sind Original, und der Hauptaugenmerk liegt auf neuem Originalimport.
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Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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