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LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis-Chip, strahlenhart, 150V 6A, ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

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—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis-Chip, strahlenhart, 150V 6A, ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse

LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis-Chip, strahlenhart, 150V 6A, ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse
LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis-Chip, strahlenhart, 150V 6A, ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse

Großes Bild :  LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis-Chip, strahlenhart, 150V 6A, ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: LEO1N5811AF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: SOD128Flat
Lieferzeit: 5-8 ARBEITSTAGE
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis-Chip, strahlenhart, 150V 6A, ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse

Beschreibung
Teilenummer: LEO1N5811AF Vr - Sperrspannung:: 150 V
Wenn - Vorwärtsstrom:: 6 A Vf - Vorwärtsspannung:: 955 mV
Maximaler Stoßstrom:: 116 A Ir - Sperrstrom:: 2 MA
Hervorheben:

Strahlenharter 150V ultraschneller Gleichrichter-IC

,

6A ultraschneller Gleichrichter im SOD128Flat-Gehäuse

,

Ultraschneller Gleichrichter-Integrierter Schaltkreis-Chip

LEO1N5811AF Integrierter Schaltkreis Chip Rad-Hard 150V 6A Ultrafast-Gleichrichter
Der LEO1N5811AF ist ein strahlungshärtender 6A, 150V Ultrafast-Gleichrichter im kompakten SOD128Flat-Oberflächenmontagegehäuse, der in einem Sperrschichttemperaturbereich von -40 °C bis +175 °C arbeitet. Dieses Bauelement erfüllt die anspruchsvollen Anforderungen von Low Earth Orbit (LEO)-Satelliten und bietet optimale Leistung und Zuverlässigkeit bei gleichzeitiger Kosteneffizienz durch die LEO-Generalspezifikation von STMicroelectronics für raumfahrtaugliche, strahlungshärtende Kunststoff-Leistungsdiskrete.
Produktspezifikationen
Spannung - DC-Reverse (Vr) (Max) 150 V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 955 mV @ 6 A
Geschwindigkeit Schnelle Erholung ≤ 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 35 ns
Strom - Reverse Leakage @ Vr 2 µA @ 150 V
Kapazität @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Güteklasse Automobil
Betriebstemperatur - Sperrschicht -40°C ~ 175°C
Hauptmerkmale
  • Maximale Sperrspannung: 150 V
  • Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 A
  • Maximale Sperrschichttemperatur: 175°C
  • DC-Wärmewiderstand RTH(JL): 10°C/W
  • ESCC-qualifizierter Dioden-Die
  • SOD128Flat-Oberflächenmontagegehäuse
  • Zuverlässigkeitsqualifizierung basierend auf AEC-Q101
  • Kompakte Gehäusegröße: 2,5 x 4,8 = 12 mm²
  • Geringer Leckstrom: 2 µA bei VRWM bei 25°C
  • Schnelles Schalten mit niedriger Durchlassspannung
  • Strahlung getestete Leistung:
    • TID 300 krad(Si) bei hoher Dosisleistung
    • TNID 3,10¹¹ Partikel/cm²
    • SEB-frei bei vollem VRWM bis zu 60 MeV·cm²/mg
Anwendungen
  • Low Earth Orbit (LEO)-Satellitenkonstellationen
  • Internetzugangssysteme
  • Internetdienste im Flug
  • Erdbeobachtungsmissionen
  • Automobilelektronik
  • Schaltnetzteil
  • Hochfrequenz-DC-DC-Wandler
  • Niederspannungs-Hochfrequenz-Wechselrichter
  • OR-Ring-, Freilauf- und Blockierdioden
  • Verpolungsschutzschaltungen
  • Kritische Missionsausrüstung für Luft- und Raumfahrt sowie hochzuverlässige Industrieanwendungen
Verfügbare elektronische Komponenten
Teilenummer Gehäuse
NFAQ1060L36T 38-PowerDIP
NFAM3512L7B 39-PowerDIP
NFAM2512L7B 39-PowerDIP
NXH350N100H4Q2F2S1G-R MODUL
NXH350N100H4Q2F2P1G-R MODUL
NFAM1512L7B 39-PowerDIP
NXH450B100H4Q2F2PG-R MODUL
NXH300N95H4Q2F2SG MODUL
NXH200B100H4F2SG-R MODUL
NXH240B120H3Q1S1G-R MODUL
NXH400N100H4Q2F2SG-R MODUL
NCD57255DR2G 16-SOIC
NCV57256DR2G 16-SOIC
HDC3020DEFR 8-VFDFN
DRV5055A4QDBZR SOT-23-3
DRV5032DUDMRR 4-XFDFN
TMP451JQDQFRQ1 8-WFDFN
TMAG5111B2AQDBVRQ1 SOT-23-5
AMC6821SQDBQRQ1 16-SSOP
MSP430FR2676TRHAR 40-VQFN
TPS16416DRCR 10-VFDFN
TPS16414DRCR 10-VFDFN
TPS16417DRCR 10-VFDFN
TPS259813LRPWR VQFN-10
TPS25972ARPWR 10-VFQFN
TPS25961DRVR 6-WDFN
TPS25970LRPWR 10-VFQFN
TPS259802ONRGER 24-VFQFN
TPS259803ONRGER 24-VFQFN
TPS26622DRCR 10-VFDFN
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
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Größe und Tag:

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Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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