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IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung

IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung
IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung

Großes Bild :  IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPP032N06N3G
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-220-3
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IPP032N06N3G OptiMOSTM 3 Power MOSFET N-Kanal 60V 120A 2,6 mOhms für eine hocheffiziente Schaltung

Beschreibung
Teilenummer: IPP032N06N3G Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:: 60 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom:: 120 a Rds On - Drain-Source-Widerstand:: 2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:: - 20 V, 20 V Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:: 3 v
Hervorheben:

60V Power MOSFET

,

120A N-Kanal-MOSFET

,

2.6 mOhms OptiMOSTM 3

IPP032N06N3G Integrierter Schaltkreis Chip OptiMOS™ 3 60V 120A N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistoren
Produktübersicht

Der IPP032N06N3G OptiMOS™ 60V ist ein fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistor, der für hocheffiziente Anwendungen entwickelt wurde. Dieses N-Kanal-Bauelement ist ideal für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS), die in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus dient es verschiedenen industriellen Anwendungen, darunter Motorsteuerung, Solar-Mikro-Wechselrichter und schnell schaltende DC-DC-Wandler.

Technische Daten
Parameter Wert
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 118µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V
Verlustleistung (Max) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Hauptmerkmale
  • Ideal für Hochfrequenzschalten und synchrone Gleichrichtung
  • Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler
  • Ausgezeichnetes Gate-Ladung x RDs(on)-Produkt (FOM)
  • Sehr geringer Einschaltwiderstand Rps(on)
  • N-Kanal, normales Niveau
  • 100% Lawinen getestet
  • Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
  • Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
  • Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Leistungsvorteile
  • Höchster Systemwirkungsgrad
  • Weniger Parallelisierung erforderlich
  • Erhöhte Leistungsdichte
  • Reduzierung der Systemkosten
  • Sehr geringe Überspannung
Zugehörige Komponenten auf Lager
Teilenummer Gehäuse
PCA9957HNMP 40-VFQFN
PCA9685PW 28-TSSOP
PCA9952TW 28-TSSOP
ASL2500SHNY 32-VFQFN
ASL4500SHNY 32-VFQFN
ASL3416SHNY 32-VFQFN
ASL1500SHNY 32-VFQFN
ASL4501SHNY 32-VFQFN
ASL2416SHNY 32-VFQFN
ASL2417SHNY 32-VFQFN
ASL3417SHNY 32-VFQFN
NCV7692D10R2G 8-SOIC
NCV7685DQR2G 24-SSOP
NCV30161MNWTXG 10-VFDFN
NCV7683DQR2G 24-SSOP
NCV78723MW2R2G 24-VQFN
NCV78723MW5R2G 24-VQFN
NCV78763MW4AR2G 32-VFQFN
NCV78763DQ9R2G 36-BFSOP
NCV78825DQ0R2G 36-BFSOP
NCV78763DQ0CR2G 36-BFSOP
NCV78763DQ6CR2G 36-BFSOP
NCV78763MW1AR2G 32-VQFN
NCV78247DQ0AR2G 36-BFSOP
NCV78703MW1AR2G 24-VQFN
NCV78703MW0AR2G 24-VQFN
STP16CPC26PTR QSOP-24
STP16CPC26XTR TSSOP24
STP16CPC26MTR 24-SOIC
STP16DP05PTR QSOP-24
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
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Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Für Artikel, die nicht auf Lager sind, bestätigen wir die Vorlaufzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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