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IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand

IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand
IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand

Großes Bild :  IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPW65R041CFD
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: TT
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreislauf Chip 650V CoolMOSTM N-Kanal Power MOSFET Transistor mit 68,5A kontinuierlichem Abflussstrom und 37mOhms Abflusswiderstand

Beschreibung
Teilenummer: IPW65R041CFD Transistorpolarität:: N-Kanal
Anzahl der Kanäle:: 1 Kanal Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:: 650 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom:: 68.5 A Rds On - Drain-Source-Widerstand:: 37 mOhms
Hervorheben:

650V Abflussspannung Leistungs-MOSFET

,

68.5A Kontinuierlicher Abflussstrom CoolMOSTM Transistor

,

37 mOhms Entwässerungswiderstands-Integrierter Schaltkreislauf-Chip

IPW65R041CFD Integrierter Schaltkreis Chip 650V CoolMOS™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistoren
ProduktÜbersicht

IPW65R041CFD CoolMOS™ repräsentiert eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 650V CoolMOS TIM CFD2-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit hochklassiger Innovation. Diese Bauelemente bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs und bieten gleichzeitig eine extrem schnelle und robuste Body-Diode. Diese Kombination aus extrem geringen Schalt-, Kommutierungs- und Verlustleistungen sowie höchster Robustheit macht Resonanzschaltanwendungen zuverlässiger, effizienter, leichter und kühler.

Technische Daten
Parameter Wert
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V
Strom - Dauer-Drain (Id) bei 25°C 50A (Tc)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) bei Id, Vgs 41mOhm bei 24,8A, 10V
Vgs(th) (Max) bei Id 4,5V bei 1,24mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs 102 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4975 pF bei 400 V
Verlustleistung (Max) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Hauptmerkmale
  • Ultraschnelle Body-Diode
  • Sehr hohe Kommutierungsrobustheit
  • Extrem geringe Verluste durch sehr geringe FOM Rdson*Qg und Eoss
  • Einfach zu bedienen/anzusteuern
  • Pb-freie Beschichtung, halogenfreies Formmasse
  • Qualifiziert für Anwendungen in Industriequalität gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
Anwendungen
  • Batteriespeicher (BESS)
  • EV-Laden
  • DIN-Schienen-Netzteil-Lösungen
  • 48 V Zwischenbus-Wandler (IBC)
  • Haus- und Gebäudeautomation
Zugehörige elektronische Komponenten auf Lager
Teilenummer Gehäuse
F28384DPTPSHLQFP-176
F28386DPTPS176-LQFP
F28388DPTPSRHLQFP-176
F28388DZWTSR337-LFBGA
MSP430FR6005IPZR100-LQFP
MSP430FR6007IPZR100-LQFP
MSP430FR2475TPTR48-LQFP
MSP430FR2475TRHBR32-VFQFN
MSP430FR2675TRHAR40-VFQFN
F280040PMQR64-LQFP
PIC32MZ1064DAA176-I/2J176-LQFP
PIC32MZ2064DAA169-I/HF169-LFBGA
PIC32MZ2048EFM144-E/PL144-LQFP
PIC32MZ2064DAA288-I/4J288-LFBGA
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R7FS5D97E3A01CFB144-LQFP
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R7FS5D97C3A01CFP100-LQFP
R7FS7G27G3A01CFP100-LQFP
R7FS7G27G3A01CFC176-LQFP
PIC24FJ128GL302T-I/SS28-SSOP
PIC18LF25K83T-I/ML28-QFN
PIC18LF47K40T-I/ML44-VQFN
PIC24FJ128GL306T-I/MR64-QFN
PIC24FJ128GL405-I/PT48-TQFP
PIC18F65K22T-E/PT80-TQFP
PIC32MX150F128DT-I/ML44-VQFN
SPC560P40L1CEFBR64-LQFP
STM32L431RBI664-UFBGA
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Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

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Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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