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IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

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—— Nishikawa aus Japan

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—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket

IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket
IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket

Großes Bild :  IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IRLR3636TRPBF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-252-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IRLR3636TRPBF 60V 99A Leistungs-MOSFET-Transistor HEXFET N-Kanal mit 6,8 mOhms RDS ((ON) im DPAK-3-Paket

Beschreibung
Teilenummer: IRLR3636TRPBF Paket / Fall: DPAK-3 (TO-252-3)
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 60 V Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 99 A
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 6.8 MOhms Qg - Tor-Gebühr: 49 nC
Hervorheben:

60V Leistungs-MOSFET-Transistor

,

99A HEXFET-Transistor

,

6

IRLR3636TRPBF Integrierter Schaltkreislauf-Chip 60V HEXFET Einzel-N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren

IRLR3636TRPBFist ein 60V, HEXFET Single-N-Channel Power MOSFET Transistor in einem D-Pak-Paket.

Diese Komponente ist ideal für Niederfrequenzanwendungen geeignet, die Leistung und Robustheit erfordern.Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichspannungskonverter.

Spezifikationen
Reihe HEXFET®
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 60 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 4,5 V
Vgs (maximal) ± 16V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3779 pF @ 50 V
Leistungsausfall (maximal) 143 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
Packung / Gehäuse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Wesentliche Merkmale
  • Optimiert für Logic Level Drive
  • Sehr niedrige RDS ((ON) bei 4,5 V VGS
  • Überlegene R*Q bei 4,5 V VGS
  • Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische Robustheit dV/dt
  • Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawine-SOA
  • Erweiterte Kapazität der Karosseriediode dV/dt und dI/dt
  • Bleifrei
Typische Anwendungen
  • Gleichstromantrieb
  • Hocheffiziente synchrone Berichtigung in SMPS
  • Ständige Stromversorgung
  • Hochgeschwindigkeitsstromwechsel
  • Festschaltkreise und Hochfrequenzkreise
Verwandte Bestandteile
Teilnummer Paket
Der Ausdruck "Behandlung" ist nicht mehr von Bedeutung. QFN-40
Der Ausdruck "Funktion" ist nicht mehr zu verwenden. QFN-40
MFS5600AMEA0ES 32-HVQFN
MFS8603BMBA0ES HVQFN-48
MFS8623BMDA0ES HVQFN-48
Die Ausrüstung ist in Form von QFN-40
Die Ausrüstung ist in der Lage, die von den Herstellern benötigten Daten zu erfassen. QFN-40
Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. HVQFN-56
MC33PF8100EQES Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich. Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen. 40-HVQFN
Der Ausdruck "A" ist nicht mehr relevant. Einheitliche Datenbank
MC32PF1550A2EP 40-HVQFN
Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden. 40-HVQFN
Die Ausrüstung ist in der Lage, die Ausrüstung zu verarbeiten. Einheitliche Datenbank
Die Ausrüstung ist in Form von 48-HVQFN
MC34PF8100EREP Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
MC34PF1550A5EP Einheitliche Datenbank
Die Angabe des Zulassungsdatums ist nicht erforderlich. Einheitliche Datenbank
Die Ausrüstung ist in Form von 48-VFQFN
Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Die Ausrüstung ist in der Lage, Einheitliche Datenbank
Die Ausrüstung ist in der Lage, 48-VFQFN
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. 48-VFQFN
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung von Fahrzeugen, die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG aufgeführt sind. 48-LQFP
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. 48-VFQFN
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. 48-VFQFN
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
MC33PF8200ESES Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellung oder Probe unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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