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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

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—— Lina aus Deutschland

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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance
IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Großes Bild :  IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IRF6894MTRPBF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: DirectFET MX
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

Beschreibung
Teilenummer: IRF6894MTRPBF Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 25 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 170 A Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 1.7 mOhms
Qg - Tor-Gebühr: 29 n.C. PD - Leistungsabteilung: 54 w
Hervorheben:

25V HEXFET Power MOSFET

,

170A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

1.7mOhms Drain-Source Resistance Power MOSFET

IRF6894MTRPBF Integrated Circuit Chip 25V HEXFET Power MOSFET Plus Schottky Diode Product Description IRF6894MTRPBF is a 25V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 33 amperes with optimized low on-resistance. This product combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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