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STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse

STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse
STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse

Großes Bild :  STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: STP24N60M2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-220-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

STP24N60M2 600V 18A 168 mOhm Leistungs-MOSFET Transistor mit MDmesh M2 Technologie im TO-220-3 Gehäuse

Beschreibung
Teilenummer: STP24N60M2 Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung: 600 V
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: 18 A Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: 168 Mohm
Qg - Tor-Gebühr: 29 n.C. PD - Leistungsabteilung: 150 w
Hervorheben:

STP24N60M2

,

STP24N60M2 Integrierter Schaltkreis Chip

,

600V MDmesh M2 Leistungs-MOSFET Transistoren

STP24N60M2 Integrierter Schaltkreis Chip 600V MDmesh M2 Leistungs-MOSFET Transistoren TO-220-3
Produktbeschreibung
STP24N60M2 sind N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, die mit der MDmesh M2-Technologie entwickelt wurden. Dank ihres Streifenlayouts und der verbesserten vertikalen Struktur weisen diese Bauelemente einen niedrigen Einschaltwiderstand und optimierte Schalteigenschaften auf, wodurch sie sich für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler eignen.
Spezifikationen
Serie MDmesh™ II Plus
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Ansteuerspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 100 V
Verlustleistung (Max) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Durchsteckmontage
Gehäuse des Lieferantengeräts TO-220
Gehäuse / Gehäuse TO-220-3
Hauptmerkmale
  • Extrem niedrige Gate-Ladung
  • Ausgezeichnetes Ausgangskapazität (Coss)-Profil
  • 100% Lawinen getestet
  • Zener-geschützt
Anwendungen
Schaltanwendungen
Andere elektronische Komponenten auf Lager
Teilenummer Gehäuse
MT62F768M64D4EK-023 AIT:C 441-TFBGA
S29PL064J70BFI070 48-VFBGA
S29GL512S11FHI010 FBGA-64
S25FL064LABNFV010 WSON-8
S25FL128LAGNFA010 WSON-8
S29GL512T10FHI013 FBGA-64
S29GL512T10FHI020 FBGA-64
S29GL512T11FHIV20 FBGA-64
S25FL064LABNFM041 USON-8
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TSB621IYLT SOT23-5
SV771ILT SOT23-5
TSZ181H1YLT SOT23-5
TSV771IYLT SOT23-5
OPA992QDCKRQ1 SC-70-5
MCP6499T-E/SL SOIC-14
MCP6499T-E/ST TSSOP-14
TSB621ILT SOT23-5
TSB624IPT TSSOP-14
OPA2992QDGKRQ1 8-VSSOP
OPA2828IDGNR HVSSOP8
OPA4991QDRQ1 SOIC-14
MCP6496UT-E/OT SOT-23-5
TSV772IYST MiniSO-8
TSB612IYST MiniSO-8
TSV772IYDT SO-8
TSB612IYDT SO-8
TSU111IYLT SOT23-5
Häufig gestellte Fragen
F. Sind Ihre Produkte Originale?
A: Ja, alle Produkte sind Originale, neue Originalimporte sind unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie eine Bestellung in kleinen Mengen oder ein Muster unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
F: Wie wird meine Bestellung versendet? Ist es sicher?
A: Wir verwenden Expressversand, wie z. B. DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden gut verpackt und die Sicherheit gewährleistet, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir die Vorlaufzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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