GT30J122 Integrierter Schaltkreislauf Chip Diskrete IGBTs 600 V Silizium-N-Kanal IGBT-Transistor

GT30J122 Integrierter Schaltkreis Chip Diskrete IGBTs 600V Silizium N-Kanal IGBT Transistor​

Produktbeschreibung von GT30J122

GT30J122 ist Diskrete IGBTs——Silizium N-Kanal IGBT Transistor.

Spezifikation von GT30J122

Eigenschaften von GT30J122

4. Generation
Erweiterungsmodus
Hochgeschwindigkeits-Schalten: tf = 0,20 µs (typ.) (IC = 50 A)
Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,7 V (typ.) (IC = 50 A)

Anwendungen von GT30J122

Speziell für Strom-Resonanz-Inverter-Schaltanwendungen
Speziell für Teil-Schalt-Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)-Anwendungen

Andere elektronische Komponenten auf Lager 

FAQ
F. Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie eine Bestellung in kleinen Mengen oder ein Muster unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
F: Wie wird meine Bestellung versendet? Ist es sicher?
A: Wir versenden per Express, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden. Die Produkte werden gut verpackt und die Sicherheit gewährleistet, und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir die Vorlaufzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.