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SIZF918DT-T1-GE3 integrierter Schaltkreislauf-Chip Dual N-Channel 30V MOSFET mit Schottky-Diode

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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SIZF918DT-T1-GE3 integrierter Schaltkreislauf-Chip Dual N-Channel 30V MOSFET mit Schottky-Diode

SIZF918DT-T1-GE3 integrierter Schaltkreislauf-Chip Dual N-Channel 30V MOSFET mit Schottky-Diode
SIZF918DT-T1-GE3 integrierter Schaltkreislauf-Chip Dual N-Channel 30V MOSFET mit Schottky-Diode

Großes Bild :  SIZF918DT-T1-GE3 integrierter Schaltkreislauf-Chip Dual N-Channel 30V MOSFET mit Schottky-Diode

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: SIZF918DT-T1-GE3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: WDFN-8
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/t
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

SIZF918DT-T1-GE3 integrierter Schaltkreislauf-Chip Dual N-Channel 30V MOSFET mit Schottky-Diode

Beschreibung
Teilenummer: SIZF918DT-T1-GE3 Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:: 30 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom:: 40 a, 60 a Rds On - Drain-Source-Widerstand:: 6,8 MOHMS, 2,7 MOHMS
Vgs - Gate-Source-Spannung:: - 12 V, + 16 V Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:: 1,1 V, 1 V
Hervorheben:

30V-Dual-N-Channel-MOSFET-Chip

,

MOSFET mit Schottky-Diode

,

Integrierter Schaltkreis Chip mit Garantie

SIZF918DT-T1-GE3 Integrierter Schaltkreis Chip Dual N-Kanal 30V MOSFET mit Schottky-Diode
Produktbeschreibung

SIZF918DT-T1-GE3 ist ein Dual-N-Kanal 30V MOSFET mit Schottky-Diode.

Spezifikationen
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration 2 N-Kanal (Dual), Schottky
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauer-Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 10A, 10V, 1,9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,4 V @ 250 µA, 2,3 V @ 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V, 56 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 15 V, 2650 pF @ 15 V
Leistung - Max 3,4 W (Ta), 26,6 W (Tc), 3,7 W (Ta), 50 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Eigenschaften
  • TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET
  • SkyFET® Low-Side-MOSFET mit integriertem Schottky
  • 100 % Rg und UIS getestet
Anwendungen
  • CPU-Kernleistung
  • Computer-/Server-Peripheriegeräte
  • POL
  • Synchrone Abwärtswandler
  • Telekommunikation DC/DC
Andere Versorgungsprodukttypen
Teilenummer Gehäuse
AGFA019R24C2I3V FBGA-2340
AGFA019R31C2E3V FBGA-3184
AGFA019R31C2E3E FBGA-3184
AGFA019R31C2I3E FBGA-3184
AGFA019R31C3I3E FBGA-3184
AGFA019R24C2I2VB FBGA-2340
AGFA019R24C3E3V BGA-2340
AGFA019R24C2E4X BGA-2340
AGFA019R24C2I1VB BGA-2340
AGFA019R24C3I3E BGA-2340
AGFA019R25A1I1V FBGA-2581
AGFA019R25A1E1V FBGA-2581
AGFA022R24C2E1V FBGA-2340
AGFA022R24C2E3E FBGA-2340
AGFA022R24C2E4X FBGA-2340
AGFA022R24C2I3V FBGA-2340
AGFA022R31C3E4X FBGA-3184
AGFA022R24C2E1VB BGA-2340
AGFA022R25A1I1V FBGA-2581
AGFA022R25A2E4F FBGA-2581
AGFA022R25A2I3E FBGA-2581
AGFA022R25A3E3E FBGA-2581
AGFA022R24C3E3V FBGA-2340
AGFA022R24C3I3E FBGA-2340
AGFA022R31C2E2V FBGA-3184
AGFA022R31C2I3E FBGA-3184
AGFA022R24C2I2VB FBGA-2340
AGFA022R25A1E1V FBGA-2581
AGFA022R24C2I1V FBGA-2340
AGFA022R31C2I1V FBGA-3184
FAQ
F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind original, neu original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
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A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
F: Wie wird meine Bestellung versendet? Ist es sicher?
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F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir die Vorlaufzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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