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IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOS 5 Linear FET 100V N-Kanal-Transistor mit niedrigem RDS ((on) und breiter SOA

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOS 5 Linear FET 100V N-Kanal-Transistor mit niedrigem RDS ((on) und breiter SOA

IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOS 5 Linear FET 100V N-Kanal-Transistor mit niedrigem RDS ((on) und breiter SOA
IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOS 5 Linear FET 100V N-Kanal-Transistor mit niedrigem RDS ((on) und breiter SOA

Großes Bild :  IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOS 5 Linear FET 100V N-Kanal-Transistor mit niedrigem RDS ((on) und breiter SOA

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IPM018N10NM5LF2
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: Standardpaket
Lieferzeit: 3-5 Werktage
Zahlungsbedingungen: t/t
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislauf-Chip OptiMOS 5 Linear FET 100V N-Kanal-Transistor mit niedrigem RDS ((on) und breiter SOA

Beschreibung
Hervorheben:

IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreislaufchip

,

IPM018N10NM5LF2

IPM018N10NM5LF2 Integrierter Schaltkreis Chip OptiMOS 5 Single N-Kanal Linear FET 2 Transistor
Produktübersicht von IPM018N10

Der IPM018N10 ist der branchenbeste OptiMOS™ 5 Linear-Feldeffekttransistor (FET) in einem 8x8 mTOLG-Gehäuse mit einer Nennspannung von 2 × 100 V, der den branchenweit niedrigsten RDS(on) und einen weiten SOA bei 25˚C bietet. Dies ist ein JEDEC-zertifiziertes Gehäuse, das mit anderen 8x8 mm² Gullwing-Gehäuse-MOSFETs, nämlich dem LFPAK88-Typ, kompatibel ist. Die Kombination aus OptiMOS™ 5 Linear FET 2-Technologie und dem mTOLG-Gehäuse wurde entwickelt, um die höchste Leistungsdichte für Überspannungsschutzanwendungen wie Hot-Swapping, elektronische Sicherungen und Batterieschutz in Batteriemanagementsystemen (BMS) zu bieten.

Hauptmerkmale von IPM018N10
  • Ideal für Hot-Swap- und E-Fuse-Anwendungen
  • Sehr geringer Einschaltwiderstand RDS(on)
  • Weiter sicherer Betriebsbereich SOA
  • Geringe Vgs(th)-Streuung
  • Verbesserte Stromaufteilung
  • N-Kanal, Normalpegel
  • 100% Lawinentest
  • Pb-freie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
  • Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Anwendungen von IPM018N10
  • Server-Netzteillösungen
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Batteriemanagementsystem (BMS)
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Produkt-Tags
IPM018N10NM5LF2, IPM018N10NM5LF, IPM018N10NM5L, IPM018N10NM5, IPM018N10NM, IPM018N10N, IPM018N10
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Größe und Tag:

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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