IMT65R057M1H Siliziumkarbid-MOSFET-Transistor 650V 57 mΩ im TOLL-Paket für hohe Leistungsdichte

Das IMT65R057M1H CoolSICTM MOSFET 650 V, 57 mΩ in TOLL-Paket nutzt die Stärken der Infineon SiC-Technologie, um höhere Dichte-Designs und höhere Schaltfrequenzoperationen zu ermöglichen.Der kleine Formfaktor und die geringe Parasitität von TOLL ermöglichen eine effiziente und effektive Nutzung des Platzes sowie die Antriebsfähigkeit des MOSFET bei höheren Frequenzen, die eine höhere Leistungsdichte erreicht.

Das CoolSICTM MOSFET 650 V, 57 mΩ im TOLL-Paketangebot wird durch die Verfügbarkeit von TOLL auch für CoolMOSTM und CoolGaNTM ergänzt, was es zu einer attraktiven One-Stop-Shop-Option für verschiedene Systeme macht.Die Verringerung der thermischen Impedanz im Vergleich zu D2PAK, zusammen mit der innovativen.XT-Verbindung das 57 mΩ-Produkt für Hoch- bis Mittelleistungssysteme mit hohen Effizienzzielen geeignet machen.

Es passt ideal zur aufstrebenden Totem Pole PFC-Topologie in Hoch- bis Mittelleistungssystemen. Es ermöglicht auch eine hohe Effizienz und Dichte in Gleichspannungs- und Wechselstromstufen von Hoch- bis Mittelleistungssystemen.Es wird auch erfolgreich in interleaved Topologien verwendet, um hohe Effizienzziele in Hochleistungssystemen zu erreichen.