Integrierte Schaltkreischip GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN auf SiC HEMT Transistoren

Integrierte Schaltkreis-Chip GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN auf SiC HEMT Transistoren

Beschreibung des ProduktsGTVA262701FA-V2-R2

GTVA262701FA-V2-R2 ist ein 270 Watt GaN auf SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT) für den Einsatz in Multi-Standard-zellulären Leistungsverstärker Anwendungen.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

SpezifikationVonGTVA262701FA-V2-R2

Merkmal vonGTVA262701FA-V2-R2

• Forschung über SiC-HEMT-Technologie
• Eingabe abgestimmt
• Typische Leistung bei pulsierender CW: 10 μs Pulsbreite, 10% Arbeitszyklus, 2690 MHz, 48 V
- Leistung bei P3dB = 270 W
- Effizienz = 66%
- Gewinn = 18,1 dB
• Modell des menschlichen Körpers Klasse 1B (nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Fähig zur Handhabung von 10:1 VSWR @48 V, 60 W (WCDMA) Ausgangsleistung
• Pb-frei und RoHS-konform

Andere vorhandene elektronische Komponenten

Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden? Ist sie sicher?
A: Wir benutzen Express zum Versand, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A:Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden.Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.