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GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter
GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Channel CoolGaN Power Transistor 8-LDFN Surface Mount
GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

Großes Bild :  GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

Produktdetails:
Herkunftsort: KN-Nummer
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 8-LDFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

Beschreibung
Teilnummer: Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960μA
Vgs (maximal): -10 V Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V

GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor mit 8-LDFN-Oberflächenhalter

 

Beschreibung des ProduktsDie in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

IGLD60R190D1AUMA1 ist ein N-Kanal-CoolGaN-Leistungstransistor, das Paket ist 8-LDFN Oberflächenmontage.

 

Spezifikation vonDie in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

FET-Typ

N-Kanal

Technologie

GaNFET (Galliumnitrid)

Abflussspannung zur Quelle (Vdss)

600 V

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 960μA

Vgs (maximal)

-10 V

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

157 pF @ 400 V

Leistungsausfall (maximal)

62.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55 °C bis 150 °C (TJ)

 

Merkmal VonDie in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

  • Ultra schnelle Umschaltung

  • Keine Rückforderungsgebühr

  • mit einer Leistung von mehr als 1000 W

  • Niedrige Torladung, niedrige Ausgangsladung

 

AnwendungenDie in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

  • SMPS und Hochdichte-Ladegeräte auf Basis der Halbbrücken-Topologie (Halbbrücken-Topologien für Hard- und Soft-Switching wie Totem Pole PFC, High Frequency LLC und Flyback).

 

Sonstige Lieferprodukttypen

Teilnummer

Paket

MIMX8MQ6CVAHZAB

FBGA621

NRF5340-QKAA-AB0-R

QFN-94

NRF52833-QIAA-R

QFN48

NRF52832-QFAA-R

QFN48

NRF52832-CIAA-R

WLCSP50

mit einem Durchmesser von mehr als 20 mm

BGA

mit einem Durchmesser von mehr als 20 mm

BGA

Stellenabschnitte

BGA

STM32L496QGI6

UFBGA-132

mit einer Breite von mehr als 20 mm

BGA

W25Q256JWEIQ

WSON8

BMA456

LGA12

LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR

WLCSP49

Die Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

TQFN10

mit einem Durchmesser von mehr als 20 mm

BGA

Max-M17552AMB

USLIC-10

Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen:

WQFN40

STM32L452CCU6

Die Angaben sind in Anhang I zu entnehmen.

STM32L432KCU6

QFN-32

STM32F072CBU6TR

Die Angaben sind in Anhang I zu entnehmen.

STM32L412CBU6TR

QFN-48

STM32L412RBT6

QFN64

Maximaler Wert für die Anlage

WLP-36

CSD95481RWJ

QFN41

MX25U25673GZ4I40

WSON8

NCP51200MNTXG

QFN10

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

VQFN-32

NCP451FCT2G

WLCSP6

TPS568230RJER

VQFN20

ICS-43432

QFN

 

Häufig gestellte Fragen

F: Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express, um zu versenden, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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