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GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

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China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor
GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Channel 600V Enhancement Mode Power Transistor
GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

Großes Bild :  GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

Produktdetails:
Herkunftsort: KN-Nummer
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IGLR60R190D1XUMA1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 8-PowerTDFN
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

Beschreibung
Teilnummer: IGLR60R190D1XUMA1 Typ der Montage: Oberflächenbefestigung
Betriebstemperatur: -40 °C bis 150 °C (TJ) Verlustleistung (maximal): 55.5W (Tc)

GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Kanal 600V Verstärkungsmodus Leistungstransistor

 

Beschreibung des ProduktsIGLR60R190D1XUMA1

IGLR60R190D1XUMA1 ist ein N-Kanal 600V Verstärkungsmodus-Leistungstransistor.

 

Spezifikation vonIGLR60R190D1XUMA1

Produktstatus

Aktiv

FET-Typ

N-Kanal

Technologie

GaNFET (Galliumnitrid)

Abflussspannung zur Quelle (Vdss)

600 V

Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

12.8A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 960μA

Vgs (maximal)

-10 V

Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

157 pF @ 400 V

 

Merkmal VonIGLR60R190D1XUMA1

  • Verstärkungsmodus-Transistor

  • Ultra schnelle Umschaltung

  • Keine Rückforderungsgebühr

  • mit einer Leistung von mehr als 1000 W

  • Niedrige Torladung, niedrige Ausgangsladung

  • Überlegene Kommutationsrobustheit

 

Vorteile von IGLR60R190D1XUMA1

  • Verbessert die Leistungsdichte

  • Ermöglicht eine höhere Betriebsfrequenz

  • Einsparungen bei Systemkostenreduzierung

 

AnwendungenIGLR60R190D1XUMA1

  • Industrie, Telekommunikation, Rechenzentren SMPS auf der Grundlage der Halbbrücken-Topologie (Half-Bridge-Topologien für Hard- und Soft-Switching wie Totem Pole PFC, High Frequency LLC).

 

Sonstige Lieferprodukttypen

Teilnummer

Paket

IR38365MTRPBF

QFN

IR38165MTRPBF

QFN

IR35412MTRPBF

QFN

IR35401MTRPBF

QFN

IR35215MTRPBF

QFN

PM8250

BGA

PM8150B

BGA

PM3003A

BGA

QM45391

QFN

QM42391

QFN

WSA8810

BGA35

WCD9385

BGA

PMDXB600UNE

DFN6

Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen.

DFN-12

Die Angabe der Größenordnung ist nicht erforderlich.

BGA256

Einheit für die Überwachung der Luftfahrt

28-SMD-Modul

CYPD6227-96BZXI

QFN

CYPD6227

QFN

SPC 5744PGK1AMMM9

LFBGA257

SPC 5744PFK1AMLQ9

LQFP144

SPC 57777K3MME3

BGA416

SPC 56777K3MME4

PBGA-416

SPC 57777CDK3MMO3

LFBGA-516

SPC 56777K3MMO4

LFBGA516

FS32K142HAT0VLHR

LQFP-64

Der Flughafen ist in der Nähe des Flughafens zu erreichen.

LQFP100

Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Anlagen zu erzeugen.

LQFP100

IWR6843ARQGALPR

FCCSP180

AWR1843ARBGALPQ1

FCBGA-180

Der Wert der Verpackung ist nicht mehr als 0,01%.

BGA

 

Häufig gestellte Fragen

F: Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express, um zu versenden, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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