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IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz

IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz
IGT60R070D1 GaN IC 600V Power Transistor with 55 mΩ RDS(on) and Ultrafast Switching for High Efficiency
IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz

Großes Bild :  IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz

Produktdetails:
Herkunftsort: KN-Nummer
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IGT60R070D1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: PG-HSOF-8-3
Lieferzeit: 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: TT
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück pro Tag
Kontakt

IGT60R070D1 GaN IC 600V Leistungstransistor mit 55 mΩ RDS ((on) und Ultraschnellschalten für hohe Effizienz

Beschreibung
Teilenummer: IGT60R070D1 ID (@ TA=25°C) max: 31 A
IDpuls (@25°C) max: 60 a Ptot maximal: 125 W
Qg: 5.8 nC RDS (ein) (typisch): 55 mΩ

IGT60R070D1 GaN-IC IGT60R070D1ATMA4 CoolGaN™ 600-V-E-Modus-Leistungstransistor

IGT60R070D1 ermöglicht eine kompaktere Topologie und einen höheren Wirkungsgrad bei Betrieb mit höherer Frequenz. Die Zertifizierung erfolgt durch einen umfassenden GaN-spezifischen Qualifizierungsprozess, der die Industriestandards übertrifft. Untergebracht im an der Unterseite gekühlten HSOF-8-Gehäuse (TO-bleifrei) ist es für die optimale Verlustleistung ausgelegt, die in modernen Rechenzentren, Servern, Telekommunikation, erneuerbaren Energien und zahlreichen anderen Anwendungen erforderlich ist.

Merkmale
  • E-Modus HEMT – normalerweise AUS
  • Ultraschnelles Umschalten
  • Keine Reverse-Recovery-Gebühr
  • Fähig zur Rückleitung
  • Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
  • Überlegene Kommutierungsrobustheit
  • JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)
  • Niedrigdynamisches RDS(ein)
  • Unterseite gekühlt
Vorteile
  • Verbessert die Systemeffizienz
  • Verbessert die Leistungsdichte
  • Ermöglicht eine höhere Betriebsfrequenz
  • Einsparungen bei den Systemkosten
  • Reduziert EMI
Anwendungen
  • Mittelspannungs-IBC (48 V)
  • Batterieenergiespeicher (BESS)
  • Stromversorgungslösungen für DIN-Schienen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Andere Lieferprodukttypen
Teilenummer Paket
AWR1843ABGABLRQ1FCBGA161
STM32WB55VGQ6BGA129
XC5VLX30T-2FF323IBGA
XC5VLX30T-1FF323CBGA
LIF-MDF6000-6KMG80IBGA-80
SIM8260C-M2Modul
SIM8260CModul
SIM8100Modul
SIM8800CEModul
SIM8800EModul
SIM8973CEModul
SIM8973EAModul
SIM8973WModul
TPS79333DBVRQ1SOT23-5
AMC1035QDRQ1SOIC-8
TPS25865QRPQRQ1QFN
UCC27200QDDARQ1SOP8
LM26480QSQ-AA/NOPBWQFN-24
TPS79633QDCQRQ1SOT-223-6
AMC23C12QDWVRQ1SOIC8
TPS62402QDRCRQ1VSON10
TPS76933QDBVRG4Q1SOT23-5
XC7A100T-2FGG484IBGA484
XC6SLX25-2FGG484IBGA484
XC7A50T-1FTG256IBGA256
AIMBG120R040M1TO263-7
AIMBG120R010M1TO263-7
AIMBG120R120M1TO263-7
STM32H747AGI6UFBGA169
STM32H747AII6UFBGA169
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte original?
Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
Wie versende ich meine Bestellung? Ist es sicher?
Für den Versand verwenden wir Expressdienste wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Gerne können wir auch den von Ihnen vorgeschlagenen Spediteur nutzen. Die Produkte werden gut verpackt und gewährleisten die Sicherheit. Wir haften für Produktschäden an Ihrer Bestellung.
Wie sieht es mit der Vorlaufzeit aus?
Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

VQFN54 integrierte Halbbrücke Gan Driver,

LMG3422R030RQZR GaN FET,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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