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Integrierter Schaltkreislauf-Chip STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistoren TO-247-3

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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—— Nishikawa aus Japan

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistoren TO-247-3

Integrierter Schaltkreislauf-Chip STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistoren TO-247-3
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Großes Bild :  Integrierter Schaltkreislauf-Chip STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistoren TO-247-3

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: StgW25M120DF3
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Integrierter Schaltkreislauf-Chip STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistoren TO-247-3

Beschreibung
Teilnummer: StgW25M120DF3 IGBT-Art: Graben-Feld-Halt
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 1200 V Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 50 A
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm): 100 A Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: 2.3V @ 15V, 25A

Integrierter Schaltkreislauf-Chip STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistoren TO-247-3

 

Beschreibung des Produkts StgW25M120DF3

STGW25M120DF3 ist eine IGBT, die unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Graben-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt wurde.die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Effizienz des Wechselrichtersystems darstellen, wenn die Funktionalität mit geringem Verlust und Kurzschluss von wesentlicher Bedeutung ist.

 

Spezifikation der STGW25M120DF3

Teilnummer

StgW25M120DF3

Leistung - Max.

375 W

Energiewechsel

850 μJ (an), 1,3 mJ (aus)

Eingabetyp

Standards

Torentarife

85 n. Chr.

Td (ein-/ausgeschaltet) @ 25°C

28 ns/150 ns

Prüfungszustand

600 V, 25 A, 15 Ohm, 15 V

Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr)

265 ns

Betriebstemperatur

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Typ der Montage

Durchs Loch

 

Eigenschaften des STGW25M120DF3

  • Höchsttemperatur der Verbindung: TJ = 175 °C

  • 10 μs Kurzschlusszeit

  • Niedrige VCE (sat) = 1,85 V (typisch) @ IC = 25 A

  • Enge Parameterverteilung

  • Positiver Temperaturkoeffizient VCE (sat)

  • Niedrige Wärmebeständigkeit

  • Antiparalleldiode mit weicher und schneller Rückgewinnung

 

Anwendungen von STGW25M120DF3

  • Industrieantriebe

  • UPS

  • Sonnenenergie

  • Schweißen

 

Andere vorhandene elektronische Komponenten

Teilnummer

Paket

DRV8824PWPR

HTSSOP28

MX25L1606EM2I-12G

SOP-8

5SGXMA4H2F35I3LN

BGA

LP38798

WSON12

MP1008ES

SOP-16

Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1907/2006 zu finden.

BGA

 

Häufig gestellte Fragen
Q. Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Lagerbestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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