Integrierte Schaltkreislauf-Chip TK10A80E N-Kanal-MOSFETs 800 V 10 A Transistoren

Integrierte Schaltkreislauf-Chip TK10A80E N-Kanal-MOSFETs 800 V 10 A Transistoren

Beschreibung des Produkts TK10A80E

TK10A80E sind MOSFETs mit Silizium-N-Kanal 800 V 10A (Ta) 50W (Tc) durch Lochtransistoren.

Spezifikation des TK10A80E

Eigenschaften des TK10A80E

• Bei niedrigem Entwässerungsvorgang: RDS ((ON) = 0,7 Ω (typisch)

• Niedrigleckstrom: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)

• Verstärkungsmodus: Vth = 2,5 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Anwendungen von TK10A80E

• Wechselspannungsregler

Andere vorhandene elektronische Komponenten

Häufig gestellte Fragen
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