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IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

—— Vincent aus Russland

Tolle Preise, schnelle Lieferung und erstklassiger Kundenservice.

—— Nishikawa aus Japan

Zuverlässige Komponenten, schneller Versand und hervorragender Support.

—— Sam aus den Vereinigten Staaten

Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3

IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3
IPW60R017C7 600V N-Channel MOSFET Transistor with 109A Continuous Drain Current and 446W Power Dissipation TO-247-3
IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3 IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3

Großes Bild :  IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

IPW60R017C7 600V N-Kanal MOSFET-Transistor mit 109A Dauerstrom und 446W Verlustleistung TO-247-3

Beschreibung
Teilenummer: Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten Vgs (maximal): ±20V
Leistungsdissipation (max): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)
Montageart: Durch Loch Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V
Hervorheben:

Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten

,

IPW60R017C7 Integrierter Schaltkreislaufchip

,

N-Kanal-MOSFET-Transistoren

IPW60R017C7 Integrierter Schaltkreislauf 600V N-Kanal-MOSFET-Transistoren TO-247-3
Beschreibung des Produkts

Die 600V CoolMOSTM C7 Superjunction (SJ) MOSFET-Serie bietet eine ~50%ige Reduktion der Abschaltverluste (EAusnahme) im Vergleich zum CoolMOSTM CP, die hervorragende Leistung in PFC, TTF und anderen Hard-Switching-Topologien bieten.

Spezifikationen
Parameter Wert
Teilnummer IPW60R017C7
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (V)dss) 600 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (I)d) @ 25°C 109A (T)c)
Antriebsspannung (Max R)DsKommen Sie, Min R.DsAuf) 10 V
RDsBei (maximal) @ Id, VGs 17mΩ @ 58,2A, 10V
VGs(th)(Maximal)d 4V @ 2,91mA
Schnittstellen (Q)g) (maximal) @ VGs 240 nC @ 10 V
Wesentliche Merkmale
  • Verringerte Schaltverlustparameter wie QG, CAusnahme, EAusnahme
  • Beste Leistung in der Klasse QG* RDS (an)
  • Erhöhte Schaltfrequenz
  • mit einer Breite von nicht mehr als 15 mm
Vorteile
  • Ermöglicht eine höhere Schaltfrequenz ohne Effizienzverlust
  • Messung der wichtigsten Parameter für leichte Belastung und Volllastwirksamkeit
  • Die Verdoppelung der Schaltfrequenz wird die Größe der magnetischen Komponenten halbieren
  • Kleinere Verpackungen für denselben RDS (an)
  • Kann in vielen weiteren Positionen sowohl für harte als auch für weiche Schalttopologien verwendet werden
Mögliche Anwendungen
  • Server
  • Telekommunikation
  • PC-Leistung
  • Sonnenenergie
  • Industrie
  • USB-PD
Andere verfügbare Komponenten
Teilnummer Paket
5CEFA4M13I7N BGA
LM5175RHFR VQFN28
TPS650942A0RSKR VQFN64
TPS63070RNMR VQFN-15
MSP430F2481TPMR LQFP64
STM32H743IIT6 LQFP176
Häufig gestellte Fragen
Sind Ihre Produkte originell?
Ja, alle Produkte sind Original, neu Original Import ist unser Zweck.
Welche Zertifikate haben Sie?
Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
Können Sie eine kleine Bestellung oder Probe unterstützen? Ist die Probe kostenlos?
Ja, wir unterstützen Musterbestellung und kleine Bestellung. Die Kosten für Muster sind je nach Ihrer Bestellung oder Ihrem Projekt unterschiedlich.
Wie kann ich meine Bestellung versenden?
Wir verwenden Expressdienste wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Verantwortung für Produktschäden an Ihrer Bestellung übernehmen.
Was ist mit der Vorlaufzeit?
Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Bestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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