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P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V

P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V
P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V

Großes Bild :  P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: BUK6Y10-30PX
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: LFPAK56
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V

Beschreibung
Teilnummer: BUK6Y10-30PX Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 3V @ 250µA
PD - Verlustleistung: 110 W Betriebstemperatur (maximal): 175°C (TJ)
Anstiegszeit: 38 ns Kanal-Modus: Verbesserung

P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V

 

Produkt-Beschreibung von BUK6Y10-30PX

BUK6Y10-30PX ist 30V, 80A (Ta), P-Kanal 110W (Ta) MOSFET-Transistoren, Oberflächenberg LFPAK56, Power-SO8. Passend für die thermisch fordernde Umwelt wegen 175 °C Bewertung.

 

Spezifikation von BUK6Y10-30PX

Teilnummer: BUK6Y10-30PX Paket/Fall: LFPAK56, Power-SO8
Reihe: Automobil, AEC-Q101, TrenchMOS™ Gesamtleistungs-Ableitung (Tmb = °C) 25: 110W
Vgs (maximal): ±20V Technologie: MOSFET (Metalloxid)


Paket-Entwurf von BUK6Y10-30PX
P-Kanal-Graben MOSFET-Transistoren LFPAK56 der integrierten Schaltung des Chip-BUK6Y10-30PX 30V 0
 

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Teilnummer Paket
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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.
 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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