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Produktdetails:
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| Teilnummer: | TW107N65C, S1F | Qg - Tor-Gebühr: | 28 nC |
|---|---|---|---|
| Vgs - Tor-Quellspannung: | - 10 V, + 25 V | Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom: | 20 A |
| Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell: | 113 mOhms | Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung: | 5 V |
Siliziumkarbid-MOS-Transistoren TW107N65C, S1F N-Kanal TO-247-3 650 V IC-Chips
Produktbeschreibung vonTW107N65C,S1F
TW107N65C,S1F ist ein N-Kanal-Siliziumkarbid-MOS-Transistor mit 650 V, 20 A (Tc), 76 W (Tc), Gehäuse ist TO-247-3, Durchgangsloch.
Spezifikation vonTW107N65C,S1F
| Artikelnummer: | TW107N65C,S1F |
| - 55 °C | |
| + 175 °C | |
| 111 W | |
| Erweiterung | |
| Abfallzeit: | 25 ns |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 32 ns |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 56 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 56 ns |
Verpackung und interner Schaltkreis vonTW107N65C,S1F
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FAQ
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F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
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