Produktdetails:
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Teilnummer: | SCTW35N65G2V | Fet-Art: | N-Kanal |
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Technologie: | SiCFET (Silikon-Karbid) | Antriebsspannung: | 18V, 20V |
Vgs (maximal): | +22V, -10V | Verlustleistung: | 240W (Tc) |
Electronic Integrated Circuits SCTW35N65G2V N-Kanal 650 V 45A Transistoren
Produktbeschreibung vonSCTW35N65G2V
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät SCTW35N65G2V wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation entwickelt.
Spezifikation vonSCTW35N65G2V
Artikelnummer |
SCTW35N65G2V |
Verlustleistung (max.) |
240 W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart |
Durchgangsloch |
Merkmale von SCTW35N65G2V
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Sperrschichttemperaturbeständigkeit (TJ = 200 °C)
Weitere elektronische Komponenten auf Lager
Artikelnummer |
Paket |
DS90UB928QSQX |
WQFN-40 |
AXA463061P |
SMD |
ZXGD3105N8TC |
SOP-8 |
FMS6502MTC24X |
TSSOP24 |
LTC3547BEDDB |
DFN-8 |
IW1788-46 |
SOP-8 |
FAQ
F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
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F: Wie sieht es mit der Vorlaufzeit aus?
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Faxen: 86-0755-83957753