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IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

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IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA

IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA
IC Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B 64Gbit SDRAM - Mobile Memory IC 200-WFBGA
IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA

Großes Bild :  IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: 200-WFBGA
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

IC-Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B 64Gbit SDRAM - bewegliches Gedächtnis IC 200-WFBGA

Beschreibung
Teilnummer: MT62F2G32D4DS-023 FAAT: B Technologie: SDRAM - Bewegliches LPDDR5
Typ der Montage: Oberflächenbefestigung Produktstatus: Aktiv
Speicheroberfläche: Parallel Uhrfrequenz: 4,266 Gigahertz

IC Chip MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B 64Gbit SDRAM - Mobilspeicher IC 200-WFBGA

 

Beschreibung des ProduktsMT2F2G32D4DS-023

MT62F2G32D4DS-023 Der DRAM von FAAT:B ermöglicht es 5G-Smartphones, Daten mit Spitzengeschwindigkeiten von bis zu 6,4 Gbps zu verarbeiten. Dies ist entscheidend, um 5G-Datenengpässe zu vermeiden.

 

Spezifikation vonMT2F2G32D4DS-023

Teilnummer

MT2F2G32D4DS-023

Speicheroberfläche

Parallel

Uhrfrequenz

4.266 GHz

Spannung - Versorgung

1.05V

Typ der Montage

Oberflächenbefestigung

Packung / Gehäuse

200-WFBGA


EigenschaftenVon MT2F2G32D4DS-023

  • Aktiviert die Funktionen der nächsten Generation, die auf dem Edge+-Smartphone verfügbar sind

  • Mehr als 20% Energieeffizienz im Vergleich zu LPDDR4, so dass Smartphones länger zwischen den Ladungen arbeiten können

 

Andere vorhandene elektronische Komponenten

Teilnummer

Paket

HMC232LP4

QFN24

BQ24262RGER

QFN24

Maximaler Wert für das Fahrzeug

SOT-323

R33MF5

DIP7

HMC232ALP4ETR

QFN-24

IPB025N10N3G

Einheitliche Anweisungen

 

Häufig gestellte Fragen

F: Sind Ihre Produkte originell?
A: Ja, alle Produkte sind Original, neues Original Import ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied der ERAI.
F: Können Sie kleine Bestellmengen oder Proben unterstützen?Ist die Probe kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen die Bestellung von Proben und kleine Bestellung. Die Kosten für Proben sind je nach Bestellung oder Projekt unterschiedlich.
F: Wie kann ich meine Bestellung versenden?
A: Wir verwenden Express zum Versand, wie DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Wir können auch Ihren vorgeschlagenen Spediteur verwenden.Die Produkte werden in guter Verpackung sein und die Sicherheit gewährleisten und wir sind für Produktschäden an Ihrer Bestellung verantwortlich.
F: Was ist mit der Vorlaufzeit?
A: Wir können Bestandteile innerhalb von 5 Werktagen versenden. Wenn keine Lagerbestände vorhanden sind, bestätigen wir die Lieferzeit für Sie basierend auf Ihrer Bestellmenge.
 
 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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