Automobiltransistoren 650V der integrierten Schaltung des Chip-STG200M65F2D8AG des grad-IGBT

Automobiltransistoren 650V der integrierten Schaltung des Chip-STG200M65F2D8AG des grad-IGBT

Produkt-Beschreibung von STG200M65F2D8AG

STG200M65F2D8AG ist Automobil-Grad 650V, des Torfeldhalts M des Grabens 200A Reihe verlustarmes IGBT sterben in der Verpackung D8.

Spezifikation von STG200M65F2D8AG

Eigenschaften von STG200M65F2D8AG

• Verlustarme Reihe IGBT
• Niedriges VCE (gesessen) = 1,55 V (Art.) bei IC = 200 A
• Positiver Temperaturkoeffizient VCE (saß)
• Feste Parameterverteilung
• Maximale Grenzschichttemperatur: TJ = °C 175
• 6 µs widerstehende Zeit minimalen Kurzschlusses an TJ = 150°C

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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.