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Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch

Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch
Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch

Großes Bild :  Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IXBH32N300
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch

Beschreibung
Teilnummer: IXBH32N300 Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 3000 V
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 80 A Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: 3.2V @ 15V, 32A
Macht- maximales: 400 W Betriebstemperatur: -55°C | 150°C (TJ)

Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch

 

Produkt-Beschreibung von IXBH32N300

IXBH32N300 ist Hochspannungs-, hoher Gewinn BIMOSFETTM monolithischer zweipoliger MOS Transistor.

 

Spezifikation von IXBH32N300

Teilnummer: IXBH32N300
Produkt-Kategorie: IGBT-Transistoren
Si
TO-247-3
Durch Loch
Einzeln
3 KV
2,8 V
- 20 V, + 20 V
80 A
400 W
- 55 C
+ 150 C


Paket-Entwurf von IXBH32N300

Einzelne IGBTs Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IXBH32N300 durch Loch 0

 

Andere elektronische Bauelemente auf Lager

Teilnummer Paket
ISL1535IVEZ TSSOP28
LIS2DH12TR LGA12
505070-1610 SMD
505066-1610 SMD
505066-1210 SMD
505070-1210 SMD

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.
   

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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