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Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

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—— Nishikawa aus Japan

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Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch
Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

Großes Bild :  Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IXYX110N120A4
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

Beschreibung
Teilnummer: IXYX110N120A4 Testbedingung: 600V, 50A, 1.5Ohm, 15V
Lieferanten-Gerät-Paket: TO-247 (IXTH) PD - Verlustleistung: 1,36 Kilowatt
Tor-Emitter-Durchsickern-Strom: 25 MA Eingegebene Art: Standard

Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

 

Produkt-Beschreibung von IXYX110N120A4

IXYX110N120A4 ist ultra niedrig--Vsat Transistoren Pints IGBT, 1200V XPT™ IGBT GenX4™ für bis zu Schaltung 5kHz.

 

Spezifikation von IXYX110N120A4

Teilnummer IXYX110N120A4
IGBT-Art
Pint
Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm)
900 A
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal)
375 A
Eingegebene Art
Standard
Macht- maximales
W 1360
Zugeschaltete Energie
2.5mJ (an), 8.4mJ (weg)
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal)
1200 V
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC 1.8V @ 15V, 110A


Paket-Entwurf von IXYX110N120A4

Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch 0

 

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Teilnummer Paket
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LB11660FV SSOP16
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FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.
 

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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