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TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

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Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

—— Richardg aus Deutschland

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—— Tim aus Malaysia

Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren
TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

Großes Bild :  TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: IXYH55N120C4
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-3
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union
Kontakt

TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

Beschreibung
Teilnummer: IXYH55N120C4 Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal: 1,2 KV
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung: 2,5 V PD - Verlustleistung: 650 w
Unterkategorie: IGBTs Handelsbezeichnung: XPT

TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

 

Produktbeschreibung von IXYH55N120C4

Die Dünnwafer-Technologie und verbesserte Prozesse des IXYH55N120C4 ermöglichen eine niedrige Gate-Ladung QG und damit einen geringen Gate-Strombedarf.

 

Spezifikation von IXYH55N120C4

Artikelnummer

IXYH55N120C4

Si

Durchgangsloch

Einzel

1,2 kV

 

VorteileVonIXYH55N120C4

  • Hohe Leistungsdichte

  • Geringe Anforderungen an den Gate-Antrieb

 

Andere Lieferprodukttypen

Artikelnummer

Paket

TEF6607T

SOP32

ACMD-4502

QFN

W9864G6GH-6

TSOP54

SPC5604BK0CLL6

LQFP-100

HCMS-3903

SMD

SS513GT

SOT-89-3

 

FAQ

F: Sind Ihre Produkte original?
A: Ja, alle Produkte sind Originale, der Import neuer Originale ist unser Ziel.
F: Welche Zertifikate haben Sie?
A: Wir sind ein nach ISO 9001:2015 zertifiziertes Unternehmen und Mitglied von ERAI.
F: Können Sie Bestellungen oder Muster in kleinen Mengen unterstützen? Ist das Muster kostenlos?
A: Ja, wir unterstützen Musterbestellungen und Kleinbestellungen. Die Musterkosten variieren je nach Bestellung oder Projekt.
F: Wie versende ich meine Bestellung?Ist es sicher?
A: Für den Versand verwenden wir Expressdienste wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.
F: Wie sieht es mit der Vorlaufzeit aus?
A: Wir können Lagerteile innerhalb von 5 Arbeitstagen versenden. Wenn kein Lagerbestand vorhanden ist, bestätigen wir Ihnen die Lieferzeit basierend auf Ihrer Bestellmenge.

Größe und Tag:

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung,

TUSB1002ARGER Zweikanallineares,

Integrierte Chips QFN24

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

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