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Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A

Name: Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120SKM31CTBL1NG
Availability: InStock

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Bescheinigung

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen

Kunden-Berichte

Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

Hohe Qualität und zuverlässige Leistung: "Die elektronischen Komponenten, die wir von [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] erhalten haben, sind von hoher Qualität und haben eine zuverlässige Leistung in unseren Geräten gezeigt".

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Wettbewerbsfähige Preisgestaltung: Die von der E-Commerce-Firma angebotenen Preise sind sehr wettbewerbsfähig, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für unsere Beschaffungsbedürfnisse macht.

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—— Lina aus Deutschland

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Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A

Großes Bild : Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A

Produktdetails:

Herkunftsort:	KN
Markenname:	Original Factory
Zertifizierung:	Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer:	MSCSM120SKM31CTBL1NG

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	10
Preis:	Contact for Sample
Verpackung Informationen:	Modul
Lieferzeit:	5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T/T, L/C, Western Union

Kontakt

Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A

Beschreibung

Teilnummer:	MSCSM120SKM31CTBL1NG	Produktstatus:	Aktiv
Fet-Art:	N-Kanal	Technologie:	SiCFET (Silikon-Karbid)
VDSS:	1200 V	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:	79A
Hervorheben:	Automobil-IGBT Module n-Kanal- , Automobil-IGBT Module 1200V 79A , Einzelner Transistor IGBT

Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A

Einzelne Transistoren des IGBT-Modul-MSCSM120SKM31CTBL1NG N-Kanal-1200V 79A

Produkt-Beschreibung von MSCSM120SKM31CTBL1NG

MSCSM120SKM31CTBL1NG-Gerät ist ein 1200 V, 79 A Dollarzerhacker-Silikonkarbid (sic) MOSFET-Energiemodul.

Spezifikation von MSCSM120SKM31CTBL1NG

Teilnummer	MSCSM120SKM31CTBL1NG
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs	31mOhm @ 40A, 20V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation	2.8V @ 1mA

Eigenschaften von MSCSM120SKM31CTBL1NG

Sic Energie MOSFET
Niedriges RDS (an)
Hochgeschwindigkeitsschaltung

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

Teilnummer	Paket
MCP6234T-E/SL	SOP-14
MK21FN1M0AVMC12	BGA-121
ADA4432-1WBRJZ	SOT23-6
LC4256V-75TN144C	QFP144
MP2060-10.0-1%	TO-220
ADM4850ARZ	SOP8

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 400A

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 5.55V @ 240mA

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IGBT-Typ: Graben

Produktstatus: Aktiv

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 950 V

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Macht- maximales: 20 mW

Vce (an) (maximal) @ Vge, IC: 2.25V @ 15V, 400A

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Fet-Eigenschaft: Siliziumkarbid (SiC)

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Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 200A

Typ der Montage: Aufbau des Fahrgestells

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Teilnummer: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal): 750 V

Strom - Kollektor (Ic) (maximal): 200 A

Leistung - Max.: 20 mW

Automobil-IGBT Modul-einzelne Transistoren n-Kanal-1200V 79A

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