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IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Bescheinigung
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Versendet sehr schnell, und sehr hilfreich, neu und ursprünglich, würde in hohem Grade sich empfehlen.

—— Nishikawa aus Japan

Berufs- und schneller Service, annehmbare Preise für Waren. ausgezeichnete Kommunikation, Produkt wie erwartet. Ich empfehle in hohem Grade diesen Lieferanten.

—— Luis aus den Vereinigten Staaten

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Der Kundenservice ist hervorragend, immer hilfsbereit und sorgt dafür, dass unsere Bedürfnisse schnell erfüllt werden.

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—— Nishikawa aus Japan

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Ich empfehle Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. für jedes Elektronikprojekt!

—— Lina aus Deutschland

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IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren
IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Großes Bild :  IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Produktdetails:
Herkunftsort: KN
Markenname: Original Factory
Zertifizierung: Lead free / RoHS Compliant
Modellnummer: NTH4L020N090SC1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10
Preis: Contact for Sample
Verpackung Informationen: TO-247-4
Lieferzeit: 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Western Union

IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Beschreibung
Teilnummer: NTH4L020N090SC1 Technologie: SiCFET (Silikon-Karbid)
Fet-Art: N-Kanal Produktstatus: Aktiv
Befestigung der Art: Durch Loch Verlustleistung: 484W (Tc)

IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

 

Produkt-Beschreibung von NTH4L020N090SC1

NTH4L020N090SC1 ist 1700V EliteSiC MOSFET zur Verfügung stellt zuverlässige, Hochleistungsfähigkeits-Leistung für Energieinfrastruktur und industrielle Antriebsanwendungen.

 

Spezifikation von NTH4L020N090SC1

Teilnummer

NTH4L020N090SC1

Produkt-Status

Aktiv

Fet-Art

N-Kanal

Technologie

SiCFET (Silikon-Karbid)

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)

900 V


Eigenschaften von NTH4L020N090SC1

  • Art. RDS (an) = 20 m @ VGS = 15 V

  • Art. RDS (an) = 16 m @ VGS = 18 V

  • Ultra niedrige Tor-Gebühr (QG (Knirps) = 196 nC)

 

Andere Versorgungs-Produkt-Arten

Teilnummer

Paket

NCP1012AP133G

DIP-7

CY8CLED04-68LFXI

QFN

CY2308SXC-2T

SOP16

CY7C1019CV33-15VI

SOJ32

MTD6502B

TDFN10

XQ4062XL-3CB228M

CQFP228

 

FAQ

Q: Sind Ihre Produkte ursprünglich?
: Ja sind alle Produkte ursprünglicher, neuer ursprünglicher Import ist unser Zweck.
Q: Welche Zertifikate haben Sie?
: Wir sind zugelassene Firma ISO 9001:2015 und Mitglied von ERAI.
Q: Können Sie Auftrag oder Probe der kleinen Menge stützen? Ist die Probe frei?
: Ja stützen wir Beispielauftrag und kleinen Auftrag. Beispielkosten sind- entsprechend Ihrem Auftrag oder Projekt unterschiedlich.
Q: Wie man meinen Auftrag versendet? Ist es sicher?
: Wir pflegen ausdrücklich, um, wie DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We zu versenden können Ihren vorgeschlagenen Absender auch benutzen. Produkte sind im guten, das verpackt und die Sicherheit und uns sicherzustellen seien Sie zum Produktschaden Ihres Auftrages verantwortlich.
Q: Was über die Vorbereitungs- und Anlaufzeit?
: Wir können auf Lager innerhalb 5 Werktage versenden Teile. Wenn ohne Vorrat, bestätigen wir Vorbereitungs- und Anlaufzeit für Sie basierten auf Ihrer Auftragsquantität.

Kontaktdaten
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Ansprechpartner: Sales Manager

Telefon: 86-13410018555

Faxen: 86-0755-83957753

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